[發(fā)明專利]LED用的金屬基板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310241767.9
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN104241496A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大下文夫;山口雅弘
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社高松電鍍;山口雅弘
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;B32B15/01
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 謝麗娜;關(guān)兆輝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及與硅晶圓等同樣地按搭載的LED元件切出并使用、從而也被稱為金屬晶圓的LED用的金屬基板。

背景技術(shù)

以往，本申請的申請人等以特征為高亮度、高散熱的LED用的基板為目的物，進行了鍍敷方法的研究、開發(fā)，而制造并提供了在Mo的芯材的兩面鍍Cu的金屬基板（專利文獻1）。在該說明書中將該金屬基板稱為“DMD”。

DMD現(xiàn)在用的很多并提供給廠商，在后續(xù)廠商處經(jīng)過通過粘接來組裝LED元件的精細的工序，而最終組裝成LED芯片，但當(dāng)被提供的后續(xù)廠商尤其是處于國外時，作業(yè)員對于該粘接工序并不能得心應(yīng)手。

專利文獻1：JP特開2012-109288號公報

其原因是：在DMD的情況下，作為其基底材料的芯材Mo具有柔性，因此在粘接工序中會產(chǎn)生翹曲，因此會產(chǎn)生未粘接部分等，導(dǎo)致接合出現(xiàn)問題。為此，進行了大量的實驗，嘗試了通過對DMD施加鍍層來進行改善，但成為了在Mo（或DMD）的柔性的不穩(wěn)定的問題之上施加鍍層的方法（參照表1），因此無法從根本上解決該缺點。

[表1]

?DMDCuW(11%Cu)硬度160300導(dǎo)熱率(W/(m·k))160～180170～180熱膨脹系數(shù)(10⁶/k)5.1～(通過Cu厚度調(diào)整)6.5

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明鑒于以上的情況，其課題在于提供一種LED的金屬基板，作為金屬基板的芯材而著眼于材質(zhì)具有與Mo接近（是耐高溫、熱膨脹系數(shù)小、在真空中極為穩(wěn)定的材料）的特性的其他金屬，通過對其加以改善而具備高亮度、高散熱的功能，即便是不熟練也不會失敗而能夠切實地粘接設(shè)置LED元件。

為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種LED用的金屬基板，其特征在于，在CuW合金的核心基板上隔著Ni或Ni-P合金的基底鍍層而形成用于改善CuW的硬度的調(diào)整鍍層，該調(diào)整鍍層為如下三種調(diào)整鍍層的任一種：

（1）AuSn的合金調(diào)整鍍層3；

（2）Au和Sn層疊的復(fù)合調(diào)整鍍層4；

（3）In和Au層疊的復(fù)合調(diào)整鍍層5，

能夠通過該調(diào)整鍍層與LED元件的外延層粘接。

如上構(gòu)成LED用的金屬基板，因此作為中心的核心基板（芯材）為Cu和W的合金（CuW，Cu為5～20%(剩余為W)）。該CuW合金材料通過在W的燒結(jié)體熔浸Cu板而制造。此外，沒有直接附加粘接劑，但能夠通過調(diào)整鍍層3、4、5與LED元件的外延層7粘接。

此外，核心基板1為CuW，雖然脆、但有硬度（參照表1），因此是在外延接合工序中難以翹曲的材料，能夠使調(diào)整鍍層3、4、5不變形而穩(wěn)定地保持在其上。并且，該調(diào)整鍍層3、4、5是適于調(diào)整的軟質(zhì)，由此將CuW的硬度緩和到具有適于LED元件的粘接的柔軟性的程度。此外，具有高亮度、高散熱的金屬特性，適于搭載LED元件。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明，該LED用的金屬基板將耐高溫、熱膨脹系數(shù)小、在真空中也極為穩(wěn)定的CuW作為核心基板，在其至少一面形成有CuW的硬度的調(diào)整鍍層，從而改善了硬度高、形態(tài)沒有柔軟性的CuW的材質(zhì)，容易正確無誤地外延接合LED元件，因此不需要熟練就能夠適當(dāng)?shù)卮钶dLED元件，且能有效地發(fā)揮高亮度、高散熱的特性。

附圖說明