[發(fā)明專(zhuān)利]CMP用研磨液以及使用該研磨液的研磨方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310241746.7
• 申請(qǐng)日: 2009-12-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103342986A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤英一;太田宗宏;茅根環(huán)司;野部茂;榎本和宏;木村忠廣;深澤正人;羽廣昌信;星陽(yáng)介
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 日立化成工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C09K3/14
• 分類(lèi)號(hào): C09K3/14;B24B37/04;H01L21/3105
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;王未東

1.一種研磨液，其為含有研磨粒、第1添加劑和水的CMP用研磨液，所述第1添加劑為4－吡喃酮系化合物，該4－吡喃酮系化合物為下述通式（1）所表示的化合物，

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自獨(dú)立地為氫原子或1價(jià)的取代基。

2.如權(quán)利要求1所述的研磨液，其中，所述4－吡喃酮系化合物為選自由3－羥基－2－甲基－4－吡喃酮、5－羥基－2－（羥甲基）－4－吡喃酮、2－乙基－3－羥基－4－吡喃酮組成的組中的至少一種化合物。

3.如權(quán)利要求1或2所述的研磨液，其中，pH值不到8。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，進(jìn)一步含有pH調(diào)節(jié)劑。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，相對(duì)于100質(zhì)量份該研磨液，所述第1添加劑的含量為0.01～5質(zhì)量份。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，相對(duì)于100質(zhì)量份該研磨液，所述研磨粒的含量為0.01～10質(zhì)量份。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述研磨粒的平均粒徑為50～500nm。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，所述研磨粒包含鈰系化合物。

9.如權(quán)利要求8所述的研磨液，其中，所述鈰系化合物為氧化鈰。

10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的研磨液，其中，進(jìn)一步含有非離子性表面活性劑。

11.一種研磨方法，其用于研磨在表面上具有氧化硅膜的基板，

該方法具有如下工序：一邊向所述氧化硅膜和研磨墊之間供給權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的研磨液，一邊通過(guò)所述研磨墊對(duì)所述氧化硅膜進(jìn)行研磨。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述基板為從上方觀察時(shí)具有凹部或凸部被設(shè)置為T(mén)字形狀或格子形狀的部分的基板。

13.如權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，所述基板為具有存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體基板。

14.一種研磨液的應(yīng)用，用于對(duì)表面具有氧化硅膜的基板的所述氧化硅膜進(jìn)行CMP研磨，

所述研磨液含有研磨粒、第1添加劑和水，

所述第1添加劑為4－吡喃酮系化合物，該4－吡喃酮系化合物為下述通式（1）所表示的化合物，

式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自獨(dú)立地為氫原子或1價(jià)的取代基。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的應(yīng)用，其中，所述4－吡喃酮系化合物為選自由3－羥基－2－甲基－4－吡喃酮、5－羥基－2－（羥甲基）－4－吡喃酮、2－乙基－3－羥基－4－吡喃酮組成的組中的至少一種化合物。

16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的應(yīng)用，其中，所述研磨液的pH值不到8。

17.根據(jù)權(quán)利要求14～16中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用，其中，所述研磨液進(jìn)一步含有pH調(diào)節(jié)劑。

18.根據(jù)權(quán)利要求14～17中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用，其中，相對(duì)于100質(zhì)量份所述研磨液，所述第1添加劑的含量為0.01～5質(zhì)量份。

19.根據(jù)權(quán)利要求14～18中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用，其中，相對(duì)于100質(zhì)量份所述研磨液，所述研磨粒的含量為0.01～10質(zhì)量份。

20.根據(jù)權(quán)利要求14～19中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用，其中，所述研磨粒的平均粒徑為50～500nm。

21.根據(jù)權(quán)利要求14～20中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用，其中，所述研磨粒包含鈰系化合物。

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的應(yīng)用，其中，所述鈰系化合物為氧化鈰。

23.根據(jù)權(quán)利要求14～22中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用，其中，所述研磨液進(jìn)一步含有非離子性表面活性劑。

24.根據(jù)權(quán)利要求14～23中任一項(xiàng)所述的應(yīng)用，其中，所述氧化硅膜具有凹凸，

采用所述研磨液來(lái)除去所述氧化硅膜的突出部位。