[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體整合裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310240289.X | 申請(qǐng)日： | 2013-06-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN104241266B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-12-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪世芳;曹博昭 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/02 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 整合 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體整合裝置，包含有：
基底，該基底上至少定義有一主動(dòng)區(qū)域；
多個(gè)主動(dòng)鰭片(active fin)，設(shè)置于該主動(dòng)區(qū)域內(nèi)，且該多個(gè)主動(dòng)鰭片沿一第一方向延伸；
多個(gè)第一保護(hù)鰭片(protecting fin)，環(huán)繞該主動(dòng)區(qū)域，且該多個(gè)第一保護(hù)鰭片都沿該第一方向延伸，且該多個(gè)第一保護(hù)鰭片中的一部分分別與該多個(gè)主動(dòng)鰭片位于同一列且被空隙彼此分隔；
多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一保護(hù)鰭片上；以及
柵極層，設(shè)置于該主動(dòng)鰭片上，其中該柵極層與該多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)同時(shí)形成。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整合裝置，其中該多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)垂直于該多個(gè)第一保護(hù)鰭片，且連接該多個(gè)第一保護(hù)鰭片。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體整合裝置，其中該多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體材料或金屬材料。
4.一種半導(dǎo)體整合裝置，包含有：
基底，該基底上至少定義有一主動(dòng)區(qū)域；
多個(gè)主動(dòng)鰭片(active fin)，設(shè)置于該主動(dòng)區(qū)域內(nèi)，且該多個(gè)主動(dòng)鰭片沿一第一方向延伸；
多個(gè)第一保護(hù)鰭片(protecting fin)和多個(gè)第二保護(hù)鰭片，環(huán)繞該主動(dòng)區(qū)域，其中該多個(gè)第一保護(hù)鰭片沿該第一方向延伸，且該多個(gè)第一保護(hù)鰭片與該多個(gè)主動(dòng)鰭片位于同一列且被空隙彼此分隔，該多個(gè)第二保護(hù)鰭片沿一第二方向延伸，且該第二方向不同于該第一方向；以及
強(qiáng)化結(jié)構(gòu)，將該多個(gè)第一保護(hù)鰭片和該多個(gè)第二保護(hù)鰭片電連接在一起。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體整合裝置，其中該多個(gè)第一保護(hù)鰭片設(shè)置于該主動(dòng)區(qū)域的相對(duì)兩側(cè)，該多個(gè)第二保護(hù)鰭片設(shè)置于該主動(dòng)區(qū)域的另外相對(duì)兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體整合裝置，其中該強(qiáng)化結(jié)構(gòu)垂直該多個(gè)第一保護(hù)鰭片與該多個(gè)第二保護(hù)鰭片。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體整合裝置，其中該強(qiáng)化結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體材料或金屬材料。
8.一種半導(dǎo)體整合裝置，包含有：
基底，該基底上至少定義有一主動(dòng)區(qū)域；
多個(gè)主動(dòng)鰭片，設(shè)置于該主動(dòng)區(qū)域內(nèi)；以及
多個(gè)保護(hù)鰭片框(protecting fin frame)，環(huán)繞該主動(dòng)區(qū)域，其中除了最內(nèi)圈的保護(hù)鰭片框之外的每一該保護(hù)鰭片框都具有多個(gè)空隙切斷該保護(hù)鰭片框，且各該空隙對(duì)應(yīng)于相鄰的該多個(gè)保護(hù)鰭片框的側(cè)壁。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體整合裝置，其中該多個(gè)保護(hù)鰭片框?yàn)橥?concentric)排列。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體整合裝置，還包含多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)，且該多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)分別填滿該多個(gè)空隙。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體整合裝置，其中該多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體材料或金屬材料。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于聯(lián)華電子股份有限公司，未經(jīng)聯(lián)華電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310240289.X/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
