[發明專利]一種太陽能光伏硅電池片真空吸筆無效
| 申請號: | 201310236357.5 | 申請日: | 2013-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN103337471A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 王永向;向定春 | 申請(專利權)人: | 成都聚合科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能 光伏硅 電池 真空 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能光伏硅電池片吸取工具,特別涉及一種太陽能光伏硅電池片真空吸筆,屬晶硅太陽能光伏發電領域。
背景技術
在太陽能光伏硅電池片的生產、測試或晶硅太陽能光伏組件的制作過程中,需要將太陽能光伏硅電池片通過吸筆吸附并移至另一置放位置。
目前所使用的太陽能硅電池片真空吸筆,其包括氣體通道管部以及與氣體通道管部的一端連接的吸盤,其中氣體通道管部包括手持部以及位于手持部上的氣體通孔,吸盤的中部表面具有高度差以形成透氣縫隙的凹陷部。當吸取硅片時,用手堵住所述手持部的氣體通孔,將吸盤靠近硅片的側面即可將硅片吸取并移至另一置放位置,松開堵住氣體通孔的手指,硅片即可從吸盤松開。其中,吸盤和凹陷的形狀和尺寸相對所吸硅電池片的形狀和尺寸有較大差異,常常會由于硅電池片上受到不均勻的壓力而導致電池片的破損;吸盤為普通塑膠或石英玻璃材料,常常會由于吸盤帶上微塵到硅電池片上,從而遮擋該處的太陽光線,極大地影響光電轉換效率。
發明內容
本發明提供了一種太陽能光伏硅電池片真空吸筆,該真空吸筆所要解決的技術問題是克服現有技術的不足,實現對硅電池片表面均勻壓力的有效控制和對硅電池片有效表面上無塵的有效預防。
為了實現上述技術目的,本發明采取的技術方案是:一種太陽能光伏硅電池片真空吸筆,其特征是,它包括氣體進口通道管、手持部、氣體通道管和吸盤,所述手持部一端連接氣體進口通道管,另一端連接氣體通道管,氣體通道管的另一端連接吸盤;所述吸盤的外形尺寸和所吸太陽能光伏硅電池片的外形尺寸一致。
所述吸盤材料為防靜電、不掛塵的軟膜材料,其長寬尺寸為:103mmX103mm,125mmX125mm,150mmX150mm,156mmX156mm。
所述吸盤上有一個凹陷,所述凹陷和氣體通道管相通,所述凹陷和吸盤表面具有高度差,形成透氣縫隙,所述凹陷的長寬尺寸比吸盤的尺寸小3~10mm的正方形。
所述氣體通道管是吸盤和手持部中氣體的流通通道。
所述手持部壁上有一個通氣孔。
本發明的優點和積極效果是:1.該吸筆的吸盤能完全和所吸硅電池片重合,這樣從凹陷上出來的氣壓能最大化和均勻低施加在硅電池片表面,避免硅電池片受不均勻吸力或局部過大吸力而損傷;2.該吸筆吸盤使用防靜電和不掛塵軟膜制成,可避免在加工過程中產生靜電、污漬和微塵掉在硅電池的表面上遮擋該處的太陽光線,從而極大地提高光電轉換效率;3.該吸筆可以根據不同尺寸的硅電池片制作成各種不同的吸盤,應用于各種不同尺寸的硅電池片,使用時只需更換吸盤。
附圖說明
圖1為一種太陽能光伏硅電池片真空吸筆的主視圖。
圖2為一種太陽能光伏硅電池片真空吸筆的側面圖。
其中:1、氣體進口通道管,2、通氣孔,3、手持部,4、氣體通道管,5、吸盤,6、凹陷。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。
一種太陽能光伏硅電池片真空吸筆,如圖1~2所示,手持部3一端連接氣體進口通道管1,另一端連接氣體通道管4,氣體通道管4的另一端連接吸盤5,手持部3上有一個通氣孔2,吸盤5上有一個凹陷6,從而形成氣體在這些部件中相通。當吸取硅電池片時,用手堵住手持部3上的通氣孔2,將吸盤5靠近并完全硅電池片重合,即可將硅電池片吸取并移至另一位置放置,松開堵住通氣孔2的手指,硅電池片即可從吸盤5上脫離下來并固定在置放位置上。
本發明用于吸取硅電池片的真空吸筆,根據不同尺寸的硅電池片制作成各種不同的吸盤,應用于各種不同尺寸的硅電池片,使用時只需更換吸盤,就可以有效地將凹陷6內的氣壓非常均勻和最大化地作用在所吸硅電池片上,將硅電池片吸附到吸盤5上,避免硅電池片受不均勻吸力或局部過大吸力而損傷;吸盤5的材料使用防靜電和不掛塵的軟膜制成,避免了在硅電池片表面產生靜電,污漬和微塵。
本發明中,作為變行實施例,氣體進口通道管和手持部可以為一整體,氣體進口通道管、手持部和氣體通道管也可以為一整體,吸盤和氣體通道管的連接可以為螺絲固定、直接套上的方式,故本發明的權利保護范圍以權利要求書限定的范圍為準。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





