[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復(fù)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310235525.9 | 申請日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN103280494A | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃勇;白杰;閆新春;陳龍;梁漢杰;張滿良;安丹;陸宇峰 | 申請(專利權(quán))人: | 奧特斯維能源(太倉)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 劉燕嬌 |
| 地址: | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 邊緣 漏電 修復(fù) 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復(fù)方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)、將邊緣漏電的電池片(1)接直流電源,利用熱成像儀(2)確定所述電池片邊緣漏電的具體位置;
2)、利用砂紙(3)將所述電池片(1)的邊緣漏電區(qū)域打磨掉。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復(fù)方法,其特征在于,所述電池片(1)豎直固定在支架(11)上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





