[發明專利]一種晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法無效
| 申請號: | 201310235525.9 | 申請日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN103280494A | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 黃勇;白杰;閆新春;陳龍;梁漢杰;張滿良;安丹;陸宇峰 | 申請(專利權)人: | 奧特斯維能源(太倉)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 劉燕嬌 |
| 地址: | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 邊緣 漏電 修復 方法 | ||
技術領域
本發明屬于晶體硅太陽能電池片的檢測領域,涉及一種晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法。
背景技術
晶體硅太陽能電池片的制作共分為制絨、擴散、刻蝕、清洗、鍍膜和絲網印刷六道工序,其中刻蝕的目的是為了去除P型原料硅片擴散后硅片四周留下的摻磷的N型區域,此N型區域如未去除或去除不徹底會使電池片正面和背面導通,導致電池片邊緣漏電,降低電池片品質,在產線實際生產過程中可能會因設備故障、人員操作、特氣波動等原因致使刻蝕工藝運行異常,導致邊緣刻蝕不凈或未刻蝕,此類硅片經鍍膜、絲網印刷后會產生大量不良品。
因此,需要一種晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法以解決上述問題。
發明內容
發明目的:本發明的目的是針對現有技術中對于四主柵標片無法標定的缺陷,提供一種精度較高的晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法。
技術方案:為實現上述發明目的,本發明的晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法可采用如下技術方案:
一種晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法,包括以下步驟:
1)、將邊緣漏電的電池片接直流電源,利用熱成像儀確定所述電池片邊緣漏電的具體位置;
2)、利用砂紙將所述電池片的邊緣漏電區域打磨掉。
更進一步的,所述電池片豎直固定在支架上。
有益效果:本發明的晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法,簡單易用,可操作性強,因邊緣刻蝕不凈或未刻蝕的邊緣漏電電池片經砂紙打磨后漏電及轉換效率達到正常電池片的水平,外觀方面也符合正常電池片的控制標準。?
附圖說明
圖1為本發明的晶體硅太陽能電池片接直流電源的結構示意圖;
圖2為利用砂紙將電池片的邊緣漏電區域打磨掉的示意圖;
圖3為轉換效率對比圖;
圖4為漏電對比圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例,進一步闡明本發明,應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍,在閱讀了本發明之后,本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。
請參閱圖1和圖2所示,本發明的晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法,包括以下步驟:
1)、將邊緣漏電的電池片1接直流電源,利用熱成像儀2確定所述電池片1邊緣漏電的具體位置;
2)、利用砂紙2將所述電池片1的邊緣漏電區域打磨掉。
實施例1
請參閱圖1和圖2所示,首先,將邊緣漏電電池片垂直固定于一支架11上并接直流電源,由于電池片1漏電區域在接直流電源之后會發熱,故使用熱成像儀2可以很容易確認漏電具體位置,然后手動用砂紙3對電池片漏電的邊緣進行打磨并重新檢測,如電池片漏電和效率達到正常值則打磨成功,電池片可以正常產出,如漏電和效率未達到正常值則繼續進行打磨,直至達到正常值為止。
請參閱圖3和圖4所示,因邊緣刻蝕不凈或未刻蝕的邊緣漏電電池片經砂紙打磨后漏電及轉換效率達到正常電池片的水平,外觀方面也符合正常電池片的控制標準。
本發明的晶體硅太陽能電池片邊緣漏電的修復方法,簡單易用,可操作性強,因邊緣刻蝕不凈或未刻蝕的邊緣漏電電池片經砂紙打磨后漏電及轉換效率達到正常電池片的水平,外觀方面也符合正常電池片的控制標準。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





