[發明專利]用于制造芯片封裝的方法、芯片封裝和晶圓級封裝

有效

• 申請號: 201310235224.6
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN103515256B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: G.邁耶-貝格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58;H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,劉春元

技術領域

各種實施例一般地涉及一種用于制造芯片封裝的方法、一種用于制造晶圓級封裝的方法、一種芯片封裝和一種晶圓級封裝。

背景技術

芯片可以以面板形式或者晶圓形式例如以重構晶圓形式、以芯片封裝結構諸如以嵌入晶圓級球柵陣列（eWLB）一起地規則地布置。可以被稱作重分布層（RDL）的金屬層可以用作到外部連接墊的電連接。嵌入晶圓級封裝例如嵌入晶圓級球柵陣列（eWLB）可能具有幾個相關的問題，其中大部分可以歸因于塑封材料（mold compound）。問題可以包括翹曲、變形例如x-y變形、從材料除氣、溫度循環對板（TCoB）循環耐久性的問題、不良導熱率和與接觸相關的困難例如IC的后側引起接觸。

發明內容

各種實施例提供一種用于制造芯片封裝的方法，該方法包括在載體之上形成層；在該層之上形成進一步載體材料；選擇性地移除進一步載體材料的一個或者多個部分由此從進一步載體材料釋放該層的一個或者多個部分；和，經由該層將包括一個或者多個接觸墊的芯片附著到載體。

附圖說明

在圖中，類似的附圖標記貫穿不同視圖地一般地引用相同的部分。附圖不是必要地按照比例的，相反一般地著重于示意本發明的原理。在以下說明中，參考以下的圖描述了本發明的各種實施例，其中：

圖1根據一個實施例示出一種用于制造芯片封裝的方法；

圖2A到2G根據一個實施例示出一種用于制造芯片封裝的方法；

圖3根據一個實施例示出一種用于制造晶圓級封裝的方法；

圖4根據一個實施例示出一種用于制造芯片封裝的方法；

圖5根據一個實施例示出一種芯片封裝；

圖6根據一個實施例示出一種芯片封裝；并且

圖7根據一個實施例示出一種用于制造芯片封裝的方法；

圖8A到8D根據一個實施例示出一種用于制造芯片封裝的方法；以及

圖9根據一個實施例示出一種芯片封裝。

具體實施方式

以下詳細說明參考通過示意方式示出其中可以實踐本發明的具體細節和實施例的附圖。

單詞“示例性”在這里用于意味著“用作一個實例、事例或者示意”。在這里描述為“示例性”的任何實施例或者設計并不是必要地被理解為相對于其它實施例或者設計是優選的或者有利的。

在這里用于描述在側面或者表面“之上”形成一種特征例如層的單詞“之上”可以用于意味著該特征例如該層可以“直接地在所指側面或者表面上”例如與其直接接觸地形成。在這里用于描述在側面或者表面“之上”形成一種特征例如層的單詞“之上”可以用于意味著該特征例如該層可以帶有在所指側面或者表面和所形成的層之間布置的一個或者多個另外的層地“間接地在所指側面或者表面上形成”。

各種實施例提供一種用于執行晶圓和/或面板的重構的方法。

各種實施例提供一種可以不要求塑封材料的嵌入晶圓級封裝。

各種實施例提供一種重構晶圓，其中可以在金屬薄板和/或箔片和/或板的空穴中精確地和/或彈性地和/或平坦地布置集成電路芯片。

各種實施例提供一種可以包括其中可以在金屬薄板和/或箔片和/或板中構造空穴的、例如包括銅和/或不銹鋼的金屬薄板和/或金屬箔片和/或金屬板的嵌入晶圓級封裝，其中空穴可以稍微大于所要安裝的集成電路（IC）芯片。金屬薄板和/或金屬箔片和/或金屬板可以通過蝕刻或者噴砂構造，并且通過所述構造產生的空穴可以至少部分地填充有膠合劑例如導電膠、焊接材料或者膏劑。

根據各種實施例，蝕刻終止層可以用于精確地在金屬薄板和/或金屬箔片和/或金屬板中形成空穴，并且蝕刻終止層還可以被用作用于將IC芯片附著到金屬薄板和/或金屬箔片和/或金屬板的附著層。

圖1根據一個實施例示出用于制造芯片封裝的方法100。方法100可以包括：

在載體之上形成層（在110中）；

在該層之上形成進一步載體材料（在120中）；

選擇性地移除進一步載體材料的一個或者多個部分由此從進一步載體材料釋放該層的一個或者多個部分（在130中）；和

經由該層將包括一個或者多個接觸墊的芯片附著到載體（在140中）。

圖2A到2G根據一個實施例示出用于制造芯片封裝的方法200。