[發明專利]用于制造芯片封裝的方法、芯片封裝和晶圓級封裝

有效

• 申請號: 201310235224.6
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN103515256B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: G.邁耶-貝格
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58;H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,劉春元

1.一種用于制造芯片封裝的方法，所述方法包括

在載體之上形成層；

在所述層之上形成進一步載體材料；

選擇性地移除所述進一步載體材料的一個或者多個部分，由此從所述進一步載體材料釋放所述層的一個或者多個部分；

經由所述層將包括一個或者多個接觸墊的芯片附著到所述載體，

其中在載體之上形成層并且在所述層之上形成進一步載體材料包括

將包括所述層和進一步載體材料的箔片附著到所述載體。

2.根據權利要求1所述的方法，

其中所述載體包括導電薄板。

3.根據權利要求1所述的方法，

其中所述載體包括選自以下一組材料的至少一種材料，所述一組材料包括：銅、鎳、鐵、銀、金、鈀、銅合金、鎳合金、鐵合金、銀合金、金合金、鈀合金。

4.根據權利要求1所述的方法，

其中所述載體包括范圍從50μm到1000μm的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，

其中所述層包括導電材料，所述導電材料包括選自以下一組材料的至少一種材料，所述一組材料包括：銀、銀合金、金、金合金、鎳、鈀。

6.根據權利要求1所述的方法，

其中在所述載體之上形成層包括利用選自以下一組方法的至少一種方法在所述載體之上形成所述層，所述一組方法包括：電鍍、化學鍍、電流沉積、層疊、箔片層疊、濺射、蒸發、化學汽相沉積、等離子體增強化學汽相沉積、印刷。

7.根據權利要求1所述的方法，

其中在所述載體之上形成層包括

形成導電層，所述導電層包括導電膠合劑和導電納米膏劑中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的方法，

其中在所述載體之上形成層包括

在所述載體之上形成導電層并且在所述導電層之上形成燒結層。

9.根據權利要求1所述的方法，

其中在所述載體之上形成層包括

在所述載體之上形成導電層和電絕緣層中的至少一個。

10.根據權利要求9所述的方法，

其中所述電絕緣層包括電絕緣粘結劑，所述電絕緣粘結劑包括選自以下一組材料的至少一種材料，所述一組材料包括：聚酰亞胺、苯并環丁烯、環氧樹脂。

11.根據權利要求1所述的方法，

其中所述進一步載體材料包括范圍從60μm到200μm的厚度。

12.根據權利要求1所述的方法，

其中所述進一步載體材料包括與所述載體相同的材料。

13.根據權利要求1所述的方法，

其中在所述層之上形成進一步載體材料包括利用選自以下一組方法的至少一種方法在所述層之上形成進一步載體材料，所述一組方法包括：層疊、燒結、膠接。

14.根據權利要求1所述的方法，

其中選擇性地移除所述進一步載體材料的一個或者多個部分由此從所述進一步載體材料釋放所述層的一個或者多個部分包括選擇性地蝕刻所述進一步載體材料的一個或者多個部分，其中所述層用作蝕刻終止層。

15.根據權利要求1所述的方法，

其中選擇性地移除所述進一步載體材料的一個或者多個部分由此從所述進一步載體材料釋放所述層的一個或者多個部分包括選擇性地蝕刻所述進一步載體材料的一個或者多個部分，其中所述層防止所述載體的蝕刻。

16.根據權利要求1所述的方法，

其中選擇性地移除所述進一步載體材料的一個或者多個部分由此從所述進一步載體材料釋放所述層的一個或者多個部分包括利用選自以下一組方法的至少一種方法選擇性地移除所述進一步載體材料的一個或者多個部分，所述一組方法包括：化學蝕刻、等離子體蝕刻、噴砂。

17.根據權利要求1所述的方法，

其中所述層的、被從所述進一步載體材料釋放的所述一個或者多個部分共同地被所述層的、被所述進一步載體材料覆蓋的進一步部分結合。