[發(fā)明專利]具有內(nèi)建加強(qiáng)層的凹穴基板的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310234434.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103515247A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林文強(qiáng);王家忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)北*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 加強(qiáng) 凹穴基板 制造 方法 | ||
1.一種制造凹穴基板的方法,包括:
提供一犧牲載板以及自該犧牲載板朝一第一垂直方向延伸的一電性接墊;
提供一介電層,其于該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板及該電性接墊;
移除該犧牲載板的一選定部分,且該犧牲載板的一剩余部分于與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向覆蓋該電性接墊以及一預(yù)計(jì)形成一凹穴的預(yù)定區(qū)域;
使一加強(qiáng)層于該第二垂直方向附著至該介電層,此步驟包括使該犧牲載板的該剩余部分對(duì)準(zhǔn)該加強(qiáng)層的一通孔;
形成一增層電路,其于該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板以及該電性接墊,且該增層電路與該電性接墊電性連結(jié);以及
移除該犧牲載板的該剩余部分以形成該凹穴,并自該凹穴的一封閉端,于該第二垂直方向顯露該電性接墊以及部分的該增層電路,其中該加強(qiáng)層側(cè)向覆蓋并環(huán)繞該凹穴,且該凹穴面朝該第二垂直方向。
2.如權(quán)利要求1所述的制造凹穴基板的方法,其中,形成該增層電路的步驟包括:
提供一第一絕緣層,其包括該介電層,并于該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板以及該電性接墊;然后
形成一第一盲孔,其延伸穿過(guò)該第一絕緣層,并對(duì)準(zhǔn)該電性接墊;然后
形成一第一導(dǎo)線,其自該第一絕緣層朝該第一垂直方向延伸,并于該第一絕緣層上側(cè)向延伸,且朝該第二垂直方向延伸穿過(guò)該第一盲孔以形成一第一導(dǎo)電盲孔,且該第一導(dǎo)電盲孔與該電性接墊接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的制造凹穴基板的方法,還包括提供一被覆穿孔,其延伸穿過(guò)該加強(qiáng)層,以提供該凹穴基板兩側(cè)的電性連接。
4.如權(quán)利要求3所述的制造凹穴基板的方法,其中,提供該被覆穿孔的步驟包括:
形成一穿孔,其朝該第一及第二垂直方向延伸穿過(guò)該加強(qiáng)層;然后
于該穿孔的一內(nèi)側(cè)壁上提供一連接層。
5.如權(quán)利要求1所述的制造凹穴基板的方法,其中移除該犧牲載板的步驟包括一化學(xué)蝕刻步驟。
6.一種制造凹穴基板的方法,包括:
提供一犧牲載板;
提供一介電層,其是于一第一垂直方向覆蓋該犧牲載板;
移除該犧牲載板的一選定部分,且該犧牲載板的一剩余部分于與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向覆蓋一預(yù)計(jì)形成一凹穴的預(yù)定區(qū)域;
使一加強(qiáng)層于該第二垂直方向附著至該介電層,此步驟包括使該犧牲載板的該剩余部分對(duì)準(zhǔn)該加強(qiáng)層的一通孔;
形成一增層電路,其是由該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板;以及
移除該犧牲載板的該剩余部分以形成該凹穴,并自該凹穴的一封閉端,于該第二垂直方向顯露部分的該增層電路,其中該加強(qiáng)層側(cè)向覆蓋并環(huán)繞該凹穴,且該凹穴面朝該第二垂直方向。
7.如權(quán)利要求6所述的制造凹穴基板的方法,其中顯露部分的該增層電路的步驟包括顯露該增層電路的一第一導(dǎo)電盲孔。
8.如權(quán)利要求7所述的制造凹穴基板的方法,其中形成該增層電路的步驟包括:
提供一第一絕緣層,其包括該介電層,且于該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板;然后
形成一第一盲孔,其延伸穿過(guò)該第一絕緣層,且對(duì)準(zhǔn)該犧牲載板;然后
形成一第一導(dǎo)線,其自該第一絕緣層朝該第一垂直方向延伸,并于該第一絕緣層上側(cè)向延伸,且朝該第二垂直方向延伸穿過(guò)該第一盲孔以形成該第一導(dǎo)電盲孔,且該第一導(dǎo)電盲孔與該犧牲載板接觸。
9.如權(quán)利要求6所述的制造凹穴基板的方法,還包括提供一被覆穿孔,其延伸穿過(guò)該加強(qiáng)層,以提供該凹穴基板兩側(cè)的電性連接。
10.如權(quán)利要求9所述的制造凹穴基板的方法,其中提供該被覆穿孔的步驟包括:
形成一穿孔,其朝該第一及第二垂直方向延伸穿過(guò)該加強(qiáng)層;然后
于該穿孔的內(nèi)側(cè)壁上提供一連接層。
11.如權(quán)利要求6所述的制造凹穴基板的方法,其中移除該犧牲載板的步驟包括一化學(xué)蝕刻程序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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