[發明專利]具有內建加強層的凹穴基板的制造方法有效
| 申請號: | 201310234434.3 | 申請日: | 2013-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN103515247A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 林文強;王家忠 | 申請(專利權)人: | 鈺橋半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 中國臺灣臺北*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 加強 凹穴基板 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是關于一種制造凹穴基板的方法,尤指一種制造由內建凹穴顯露具有一或多個電性連接點的凹穴基板的方法。
背景技術
近年來,電子裝置的趨勢,如行動上網裝置(MIDs)、多媒體裝置及筆記本電腦的需求是為更快、更輕的設計。于一般信號的頻帶中,電路路徑越短,信號完整性越佳。因此,為了促進電子裝置的信號傳導特性,必須降低層間連接區的尺寸,如基板中微孔和被覆穿孔(PTH)的直徑。一般在芯覆銅箔層壓板中的被覆穿孔是經由機械式CNC鉆孔機所形成,而為了增加電線密度需減少被覆穿孔的直徑,常有嚴重的技術限制且耗費較大。因此,用于封裝基板的無芯基板可使裝置具有較薄、較輕及較快的設計。然而,由于無芯板不具有提供所需撓曲剛性的核心層,與具有核心層的傳統板相比,無芯板在熱壓下更容易受到彎曲變形問題影響。
Nakamura等人的美國專利案號7,164,198、Abe等人的美國專利案號7,400,035、Chia等人的美國專利案號7,582,961、及Lin等人的美國專利案號7,934,313揭露一種具有內建加強層的無芯封裝基板,其通過蝕刻其上形成有增層電路的金屬板的部分而形成。內建加強層定義出一凹穴,其作為附著半導體元件的區域。就此而言,雖然創造出一支撐平臺可改善彎曲變形問題,蝕刻一厚金屬塊是過于費工、產量低、且可能有許多良率下降的問題,例如因過度蝕刻而導致邊界線不易控制。
Higashi等人的美國專利案號8,108,993揭露一種形成內建加強層的方法,該方法是利用其上形成有增層電路的支撐基板。就此而言,在支撐基板上設置促進分離層,可使增層的層在完成無芯電路板后自支撐基板分離。由于該促進分離層,不論是熱固化樹脂或氧化物膜,在熱或光處理下皆具有剝離性質,因此,在涂布及固化介電層時存在早期分層的高風險,由此可能導致嚴重的良率及可靠度議題。
綜觀現今可用于高I/O及高效能半導體裝置的無芯基板的多種發展狀態及其限制,目前亟需一種封裝板,其可提供優異的信號完整性、在組裝及操作時維持低彎曲變形程度、及低制備成本。
發明內容
本發明是有鑒于以上情況而開發,且目的是在于提供一種凹穴基板,其中的內建加強層可提供凹穴基板的機械性支撐,且自內建凹穴顯露的電性連接點可提供由延伸進入該凹穴的電子設備的電性連接。
在一較佳的實施態樣中,本發明提供了一種制造凹穴基板的方法,該凹穴基板包括一內建加強層以及具有自凹穴顯露的電性接墊的增層電路。制造該凹穴基板的方法可包括:提供一犧牲載板以及自該犧牲載板朝一第一垂直方向延伸的一電性接墊;提供一介電層,其于該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板及該電性接墊;移除該犧牲載板的一選定部分,且該犧牲載板的一剩余部分于與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向覆蓋該電性接墊以及一預計形成一凹穴的預定區域;使一加強層于該第二垂直方向附著至該介電層,此步驟包括使該犧牲載板的該剩余部分對準該加強層的一通孔;形成一增層電路,其于該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板以及該電性接墊,且該增層電路是與該電性接墊電性連結;以及移除該犧牲載板的該剩余部分以形成該凹穴,并自該凹穴的一封閉端,于該第二垂直方向顯露該電性接墊以及部分的該增層電路,其中該加強層是側向覆蓋并環繞該凹穴,且該凹穴面朝該第二垂直方向。
于另一較佳的實施態樣中,本發明提供了一種制造凹穴基板的方法,該凹穴基板包括一內建加強層以及一增層電路,其由凹穴顯露部分的增層電路。制造該凹穴基板的方法包括:提供一犧牲載板;提供一介電層,其是于一第一垂直方向覆蓋該犧牲載板;移除該犧牲載板的一選定部分,且該犧牲載板的一剩余部分于與該第一垂直方向相反的一第二垂直方向覆蓋一預計形成一凹穴的預定區域;使一加強層于該第二垂直方向附著至該介電層,此步驟包括使該犧牲載板的該剩余部分對準該加強層的一通孔;形成一增層電路,其是由該第一垂直方向覆蓋該犧牲載板;以及移除該犧牲載板的該剩余部分以形成該凹穴,并自該凹穴的一封閉端,于該第二垂直方向顯露部分的該增層電路,其中該加強層是側向覆蓋并環繞該凹穴,且該凹穴面朝該第二垂直方向。根據此較佳實施態樣,顯露部分的增層電路的步驟可包括顯露一或多個該增層電路的導電盲孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





