[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制程裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310234165.0
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN104241163A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林武郎;鄭煌玉;郭明倫;劉又瑋;陳世敏;黃文泰
• 申請（專利權(quán)）人: 技鼎股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種制程裝置，尤其是有關(guān)于一種適用于進(jìn)行光電半導(dǎo)體之快速升降溫制程的半導(dǎo)體制程裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)階段，快速熱工藝(Rapid?Thermal?Processing)已應(yīng)用于許多半導(dǎo)體的制程上，例如快速熱氧化(Rapid?Thermal?Oxidation)、快速熱化學(xué)氣相沉積(Rapid?Thermal?CVD)，快速熱退火(Rapid?Thermal?Annealing)等，由此可知，快速熱工藝對于半導(dǎo)體制程已相當(dāng)?shù)刂匾?/p>

在半導(dǎo)體制程中，熱量主要靠輻射傳至晶圓上，因此，現(xiàn)在的半導(dǎo)體制程裝置在制程腔體的上方及下方皆設(shè)有加熱燈管，以達(dá)到晶圓均勻加熱的目的。但此種半導(dǎo)體制程裝置并不能針對晶圓的特定位置加熱，且結(jié)構(gòu)也較為復(fù)雜，無法節(jié)省成本。

再者，現(xiàn)在的半導(dǎo)體裝程裝置在加熱后，晶圓的熱量會通過輻射或?qū)α鞯姆绞缴l(fā)，但因制程腔體的材質(zhì)為石英，不易使制程腔體的熱散失，因此，造成降溫的速度慢，且對于晶圓在熱處理時的溫度均勻性較不穩(wěn)定，容易影響晶粒的質(zhì)量及良率。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述狀況，有必要提供一種可用于光電半導(dǎo)體的快速升降溫制程的半導(dǎo)體制程裝置。

一種半導(dǎo)體制程裝置，適用于進(jìn)行光電半導(dǎo)體的快速升降溫制程，所述半導(dǎo)體制程裝置包括制程腔體及至少一個加熱源，所述制程腔體包括散熱底板以及配置于所述散熱底板上且與所述散熱底板直接接觸的環(huán)狀金屬側(cè)壁，所述至少一個加熱源配置于所述制程腔體內(nèi)。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述制程腔體還包括導(dǎo)流板，所述導(dǎo)流板具有多個導(dǎo)流孔，且所述導(dǎo)流板設(shè)置于所述至少一個加熱源上方。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述半導(dǎo)體制程裝置還包括載盤，且所述環(huán)狀金屬側(cè)壁具有一抽取口，所述載盤適于經(jīng)由所述抽取口進(jìn)出所述制程腔體。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述導(dǎo)流板的材料為石英、金屬或陶瓷。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述環(huán)狀金屬側(cè)壁包括多個板體，所述多個板體可拆卸地組合于彼此而成為所述環(huán)狀金屬側(cè)壁。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述至少一個加熱源包括多個燈管，所述多個燈管具有不同的輸出功率。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述散熱底板的材質(zhì)為金屬或陶瓷。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述散熱底板包括板體和冷卻管路，所述板體具有位于相對兩側(cè)的第一表面及第二表面，所述環(huán)狀金屬側(cè)壁位于所述第一表面上；所述冷卻管路設(shè)置于所述板體的第二表面。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述散熱底板具有多條冷卻通道。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述散熱板具有第一表面、第二表面以及散熱孔，所述第一表面與所述第二表面位于相對兩側(cè)，所述散熱孔連通所述第一表面與所述第二表面，所述環(huán)狀金屬側(cè)壁位于所述第一表面上。

根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，所述半導(dǎo)體制程裝置還包括隔絕板，所述隔絕板設(shè)置于所述加熱源及所述環(huán)狀金屬側(cè)壁之間。

本發(fā)明的半導(dǎo)體制程裝置僅于制程腔體上方設(shè)置加熱源，以對制程腔體內(nèi)部的物體進(jìn)行單向加熱。而且，制程腔體是直接與導(dǎo)熱率佳的散熱底板接觸，因此在完成加熱制程后，可加速制程腔體內(nèi)的物體降溫速度，以縮短降溫時間。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1A是本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體制程裝置的立體示意圖。

圖1B是圖1A的半導(dǎo)體制程裝置的分解示意圖。

圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的散熱底板的立體圖。

圖2B是本發(fā)明另一實(shí)施例的散熱底板的立體圖。

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體制程裝置的分解示意圖。

圖4是本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體制程裝置的分解示意圖。

具體實(shí)施方式