[發(fā)明專利]半導(dǎo)體制程裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310234165.0
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN104241163A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林武郎;鄭煌玉;郭明倫;劉又瑋;陳世敏;黃文泰
• 申請（專利權(quán)）人: 技鼎股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 楊波

1.一種半導(dǎo)體制程裝置，適用于進行光電半導(dǎo)體的快速升降溫制程，其特征在于：所述半導(dǎo)體制程裝置包括制程腔體及至少一個加熱源，所述制程腔體包括散熱底板以及配置于所述散熱底板上且與所述散熱底板直接接觸的環(huán)狀金屬側(cè)壁，所述至少一個加熱源配置于所述制程腔體內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述制程腔體還包括導(dǎo)流板，所述導(dǎo)流板具有多個導(dǎo)流孔，且所述導(dǎo)流板設(shè)置于所述至少一個加熱源上方。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體制程裝置還包括載盤，且所述環(huán)狀金屬側(cè)壁具有一抽取口，所述載盤適于經(jīng)由所述抽取口進出所述制程腔體。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述導(dǎo)流板的材料為石英、金屬或陶瓷。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述環(huán)狀金屬側(cè)壁包括多個板體，所述多個板體可拆卸地組合于彼此而成為所述環(huán)狀金屬側(cè)壁。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述至少一個加熱源包括多個燈管，所述多個燈管具有不同的輸出功率。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述散熱底板的材質(zhì)為金屬或陶瓷。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述散熱底板包括板體和冷卻管路，所述板體具有位于相對兩側(cè)的第一表面及第二表面，所述環(huán)狀金屬側(cè)壁位于所述第一表面上；所述冷卻管路設(shè)置于所述板體的第二表面。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述散熱底板具有多條冷卻通道。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述散熱板具有第一表面、第二表面以及散熱孔，所述第一表面與所述第二表面位于相對兩側(cè)，所述散熱孔連通所述第一表面與所述第二表面，所述環(huán)狀金屬側(cè)壁位于所述第一表面上。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制程裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體制程裝置還包括隔絕板，所述隔絕板設(shè)置于所述加熱源及所述環(huán)狀金屬側(cè)壁之間。