[發明專利]處理晶片的方法、晶片及制造半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201310233781.4
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN103489829A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 曼弗雷德·恩格爾哈德特;卡爾·邁爾;古德倫·斯特蘭茲爾;馬丁·澤加加
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;陳偉偉

1.一種處理晶片的方法，所述方法包括：

提供具有多個裸片區域和多個切面區域的晶片；

在所述多個裸片區域中形成金屬化區域；以及

向所述晶片施加氣體合成物，所述氣體合成物蝕刻掉所述多個切面區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氣體合成物與所述金屬化區域反應以形成鈍化層。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬化區域是用于裸片分離的自對準掩膜。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述氣體合成物不會蝕刻掉所述鈍化層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬化層是銅。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述氣體合成物包括氟。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，施加所述氣體合成物包括：執行BOSCH蝕刻過程。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，施加所述氣體合成物包括：執行電化學蝕刻。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在形成所述金屬化區域之前在所述晶片上形成互連裝置。

10.根據權利要求9所述的方法，進一步包括:

將種子層形成至在所述互連裝置上。

11.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

確定所述晶片已經分離成獨立的裸片；

層壓所述晶片；以及

從所述獨立的裸片移除所述承載物。

12.一種晶片，包括：

多個裸片區域；

位于所述多個裸片區域之間的多個切面區域；以及

位于所述多個裸片區域上的金屬化區域。

13.根據權利要求12所述的晶片，其中，所述金屬化區域配置為與氣體合成物反應以形成鈍化層。

14.根據權利要求12所述的晶片，其中，所述金屬化區域是用于裸片分離的自對準掩膜。

15.根據權利要求13所述的晶片，其中，當暴露于所述氣體合成物時，所述鈍化層不會被蝕刻掉。

16.根據權利要求12所述的晶片，其中，所述金屬化層是銅。

17.根據權利要求12所述的晶片，其中，所示氣體合成物包括氟。

18.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供具有多個裸片區域和多個切面區域的半導體裸片；

在所述多個裸片區域中形成金屬化區域；以及

向所述晶片施加氣體合成物，所述氣體合成物蝕刻掉所述多個切面區域。

19.根據權利要求18所述的方法，其中，所述氣體合成物與所述金屬化區域反應以形成鈍化層。

20.根據權利要求18所述的方法，其中，所述金屬化區域是用于裸片分離的自對準掩膜。