[發(fā)明專利]處理晶片的方法、晶片及制造半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310233781.4
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN103489829A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曼弗雷德·恩格爾哈德特;卡爾·邁爾;古德倫·斯特蘭茲爾;馬丁·澤加加
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李靜;陳偉偉

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各方面總體上涉及晶片切割。特別地，本公開的一個方面涉及金屬化方案作為等離子體切割的蝕刻掩膜的方法。

背景技術(shù)

晶片切割是在晶片的處理之后將裸片（die）從半導(dǎo)體材料的晶片分離出來的過程。切割過程可以通過劃刻和斷開晶片來完成。這可以通過鋸切或激光切割來實現(xiàn)。

傳統(tǒng)的機械鋸切過程需要很寬的鋸切道，這導(dǎo)致有源器件具有較小的硅區(qū)域。另外，該機械鋸切面臨著由于碎片問題所引起的損壞，所述碎片問題是由于晶片厚度減小和背面金屬化率增加造成的。質(zhì)量和可靠性問題也是不足之處。

激光切割需要較寬的切面（kerf）并造成脊狀部，這導(dǎo)致在后端處理中發(fā)生斷裂。隱形切割將晶體結(jié)構(gòu)改變成非晶硅，導(dǎo)致在切面中形成未知的結(jié)構(gòu)。并且，在等離子體切割中，對于大批的等離子體切割的裸片和沒有背部金屬化的等離子體切割裸片而言都不存在集成。

在等離子體切割過程中，可能會進行蝕刻。在蝕刻步驟中，晶片的一部分由抗蝕刻的“掩膜”材料保護而不受蝕刻劑的腐蝕。在一些情況下，該掩膜材料是已經(jīng)用光刻的方法進行圖案化的光致抗蝕劑。其他情況需要諸如氮化硅的更耐用的掩膜。

因此，提供用于解決上述討論的一個或多個問題的方法、系統(tǒng)、和計算機程序產(chǎn)品將是有利的。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一方面包括一種用于處理晶片的方法。該方法包括：提供具有多個裸片區(qū)域和多個切面區(qū)域的晶片；在多個裸片區(qū)域中形成金屬化區(qū)域；向晶片施加氣體合成物，該氣體合成物蝕刻掉所述多個切面區(qū)域。

本公開的一方面包括晶片。該晶片包括多個裸片區(qū)域；位于多個裸片區(qū)域之間的多個切面區(qū)域；以及位于多個裸片區(qū)域上的金屬化區(qū)域。

本公開的一方面提供一種制作半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括：提供具有多個裸片區(qū)域和多個切面區(qū)域的半導(dǎo)體裸片；在多個裸片區(qū)域中形成金屬化區(qū)域；以及向晶片施加氣體合成物，該氣體合成物蝕刻掉所述多個切面區(qū)域。

附圖說明

在附圖中，相同的附圖標記一般在不同附圖中指代相同部分。附圖不必是成比例的。在下面的描述中，參考附圖對本公開的各個方面進行描述，附圖中，

圖1示出了根據(jù)本公開的一個方面的晶片的示意性平面圖；

圖2示出了根據(jù)本公開一個方面的附接至承載物的晶片的框圖；

圖3示出了根據(jù)本公開一個方面的附接至具有光致抗蝕劑的承載物的晶片的側(cè)視圖；

圖4示出了根據(jù)本公開一個方面的在對晶片進行蝕刻之后附接至承載物的晶片的側(cè)視圖；

圖5示出了根據(jù)本公開一個方面的附接至層壓物（laminate）的晶片的側(cè)視圖；

圖6示出了根據(jù)本公開一個方面的處理晶片的流程圖；以及

圖7示出了根據(jù)本公開一個方面的切割過程的流程圖。

具體實施方式

下面具體的描述參考附圖，附圖以示例的方式示出了實施本發(fā)明的具體細節(jié)和方面。這里的詞語“示例”用于表示“作為例子、實例，或者例證”。這里所描述的作為“示例”的任何方面或設(shè)計都不應(yīng)解釋為優(yōu)選的或者比其他的方面或設(shè)計有利。

在本說明書中要注意的是，所涉及的包含在“一個方面”、“示例方面”、“一方面”、“另一方面”、“某個方面”、“多個方面”、“其他方面”、“替換的方面”等等中的各種特征（例如，元件、結(jié)構(gòu)、模塊、部件、步驟、操作、特性等）意在表示任何這樣的特征包含在本公開的一個或多個方面中，但是可以或者可以不必結(jié)合在相同的方面中。

在本說明書中要注意的是，所涉及的“許多”可意味著一個或多個。例如，許多物體可以是一個物體、十個物體、五十個物體、或者任何數(shù)量的物體。而且，在本說明書中要注意的是，所涉及的“至少一個”可意味著任何組合。例如，物體A和物體B中的至少一個可以是物體A、物體B、或者物體A和B。

盡管這里參考特定的方面對該說明書進行說明和描述，但是，本說明書并不意于限于所示出的這些細節(jié)。在權(quán)利要求的范圍和等同范圍內(nèi)可對這些細節(jié)進行修改。

晶片一般可以用在集成電路（ICs）或者芯片的制造中。晶片可包括多個裸片區(qū)域或者一體形成的裸片。所述裸片區(qū)域或者裸片可通過諸如鋸的分割（singulation）過程分開。裸片的分割也可以稱為切割。

通常，將沿著位于裸片之間的所謂的切割道（有時也稱作鋸切道或者劃片線）來執(zhí)行切割，并且這種切割可以導(dǎo)致晶片材料被切除以及位于那些切割道內(nèi)的任何結(jié)構(gòu)被破壞。將受切割影響（例如破壞）的晶片區(qū)域也被稱作晶片的切面區(qū)域。