[發明專利]一種自對準金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201310233743.9
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN103311128A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 張盛東;肖祥;遲世鵬
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/228;H01L29/786
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200
• 代理人: 余長江

1.一種自對準金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其步驟包括：

1)在襯底上淀積金屬氧化物半導體層；

2)光刻和刻蝕所述金屬氧化物半導體層，形成有源區圖形；

3)在襯底上生成覆蓋在所述金屬氧化物半導體層之上的絕緣柵介質層；

4)在所述絕緣柵介質層上淀積一層柵極導電層；

5)光刻和刻蝕所述柵極導電層和絕緣柵介質層，分別形成柵電極和柵介質圖形；

6)在整個襯底上旋涂一層旋涂摻雜劑層，然后對其進行熱處理，使旋涂摻雜劑層中的摻雜原子擴散進入未被柵電極所覆蓋的溝道區兩側的金屬氧化物半導體中，形成低阻源漏區；

7)進行晶體管制作的后續工藝。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟6）所述熱處理在150℃-600℃的溫度下進行。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述旋涂摻雜劑層為下列中的一種：硼旋涂摻雜層、磷旋涂摻雜層、砷旋涂摻雜層。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述襯底為玻璃襯底或柔性襯底。

5.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：步驟1）先在襯底上淀積一層緩沖層，然后再淀積所述金屬氧化物半導體層。

6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述金屬氧化物半導體層為非晶、微晶或多晶結構的氧化鋅基或者氧化銦基材料，采用磁控濺射方法或反應濺射方法淀積所述金屬氧化物半導體層。

7.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：步驟1）所述金屬氧化物半導體層為厚的高電阻率金屬氧化物半導體層，在其上淀積一層薄的低電阻率金屬氧化物層形成雙層溝道，然后光刻和刻蝕所述雙層溝道形成有源區圖形。

8.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述絕緣柵介質層的材質為由氮化硅、氧化硅、有機介質及氧化鋁或氧化鉿等高介電常數介質中的一種形成的單層柵介質，或者是由雙層或多層介質材料形成的復合柵介質；采用下列方法中的一種或多種淀積所述絕緣柵介質層：等離子體增強化學氣相淀積、原子層淀積、磁控濺射、反應濺射和旋涂。

9.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：利用步驟6）中形成的旋涂摻雜劑層充當器件鈍化層；或者在旋涂摻雜劑層之上再淀積一層鈍化層形成復合鈍化層；或者將步驟6）中形成的旋涂摻雜劑層去掉，另淀積一層鈍化層。

10.根據權利要求1至9中任一項所述方法制作的金屬氧化物薄膜晶體管。