[發(fā)明專(zhuān)利]一種利用襯底進(jìn)行絨面加工的基板單元及其形成方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310232126.7
• 申請(qǐng)日: 2010-08-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103515478A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 聚日（蘇州）科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0352
• 代理公司: 北京博雅睿泉專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬佑平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種利用襯底進(jìn)行加工的基板單元、基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件不斷地朝小體積、高電路密集度、快速、低耗電方向發(fā)展，集成電路現(xiàn)已進(jìn)入亞微米級(jí)的技術(shù)階段。因此，為了適應(yīng)小體積、高集成度的需要，目前提出了兩方面的要求，一方面是要求晶圓片的直徑逐漸增大，到2005年，直徑300mm硅片已成為主流產(chǎn)品，預(yù)計(jì)到2012年，將開(kāi)始使用直徑450mm（18in）硅片，晶圓片的直徑大約以每9年增大1.5倍的速度不斷增大，而向大面積發(fā)展。另一方面也提出了一種要求，即希望在不增加現(xiàn)有的晶圓片尺寸的基礎(chǔ)上增加表面積利用率，從而提高其可加工的表面積。特別地，可以利用襯底的厚度來(lái)進(jìn)行襯底的加工，在對(duì)單晶晶圓片進(jìn)行加工時(shí)，晶圓片的晶向能夠?yàn)橐r底的加工提供益處，例如利用各向同性刻蝕能夠獲得具有特定晶向的表面。在對(duì)多晶晶圓片進(jìn)行加工時(shí)，則可以利用各向異性刻蝕，例如RIE。然而，不論是單晶襯底還是多晶襯底，利用襯底厚度進(jìn)行加工都會(huì)帶來(lái)其他的問(wèn)題，例如，在太陽(yáng)能電池基板的加工過(guò)程中，為了提高陷光效果，通常希望在進(jìn)光表面上形成絨面，然而在單晶襯底中通過(guò)各向同性刻蝕而獲得的表面上制作絨面將會(huì)有很大難度，并且在多晶襯底中通過(guò)各向異性刻蝕而獲得的表面上制作絨面也有很?chē)?yán)格的要求。目前為止，還沒(méi)有提出一種能夠基于現(xiàn)有晶圓片的尺寸來(lái)增加晶圓片利用率并在特定的表面上形成絨面的方案。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種利用襯底進(jìn)行加工的基板單元：包括：半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板為具有第一摻雜類(lèi)型的單晶基板，所述半導(dǎo)體襯底包括第一表面和與其相對(duì)的第二表面以及第三表面和與其相對(duì)的第四表面，所述第三表面和第四表面的晶向?yàn)閧111}；形成于所述半導(dǎo)體基板的第三表面上的具有第二摻雜類(lèi)型、表面為絨面的第一半導(dǎo)體層。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面還提供了一種利用襯底進(jìn)行加工的基板結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：基板單元陣列，所述基板單元陣列包括按照預(yù)定方向排列的多個(gè)基板單元，每個(gè)所述基板單元包括：具有第一摻雜類(lèi)型的單晶半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括第一表面和與其相對(duì)的第二表面以及第三表面和與其相對(duì)的第四表面，所述第三表面和第四表面的晶向?yàn)閧111}，以及形成于所述半導(dǎo)體基板的第三表面上的具有第二摻雜類(lèi)型、表面為絨面的第一半導(dǎo)體層；以及多個(gè)基片，所述多個(gè)基片分別設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的第一表面和第二表面的外側(cè)，其中：對(duì)于相間隔的基板單元的每一個(gè)，其第二表面與其一側(cè)的相鄰基板的第二表面共用一個(gè)基片以形成第一溝槽，且其第一表面與其另一側(cè)的相鄰基板的第一表面共用另一個(gè)基片以形成第二溝槽，所述第一溝槽與所述第二溝槽開(kāi)口方向相反，以使所述基板結(jié)構(gòu)形成長(zhǎng)城型結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面，本發(fā)明還提供了一種用于半導(dǎo)體器件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：A．提供半導(dǎo)體襯底，所述襯底為具有第一摻雜類(lèi)型的單晶襯底，所述襯底包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面；B．對(duì)所述襯底的第一表面和第二表面進(jìn)行構(gòu)圖；C．從所述第一表面刻蝕半導(dǎo)體襯底以形成至少兩個(gè)第一溝槽；以及從所述第二表面刻蝕半導(dǎo)體襯底以形成至少一個(gè)第二溝槽，其中每個(gè)所述第二溝槽位于相鄰的兩個(gè)所述第一溝槽之間，所述第一溝槽和第二溝槽所對(duì)應(yīng)的側(cè)壁的晶向?yàn)閧111}，D．在所述第一溝槽的側(cè)壁形成具有第二類(lèi)型摻雜的第一半導(dǎo)體層，濕法腐蝕所述第一導(dǎo)體層以在其表面形成絨面層。

此外，本發(fā)明還提供了另一種用于半導(dǎo)體器件的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，所述方法包括：A、提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有第一摻雜類(lèi)型，所述半導(dǎo)體襯底包括第一表面和與其相對(duì)的第二表面；B、對(duì)所述襯底的第一表面進(jìn)行構(gòu)圖，以及對(duì)所述襯底的第二表面進(jìn)行構(gòu)圖，以及從所述第一表面刻蝕襯底形成至少兩個(gè)第一溝槽，以及從所述第二表面刻蝕襯底形成至少一個(gè)第二溝槽，以及在所述第一溝槽的內(nèi)壁形成絨面，其中每個(gè)所述第二溝槽位于相鄰的兩個(gè)所述第一溝槽之間；C、進(jìn)行后續(xù)加工。