[發(fā)明專利]一種利用襯底進(jìn)行絨面加工的基板單元及其形成方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310232126.7
• 申請(qǐng)日: 2010-08-17
• 公開（公告）號(hào): CN103515478A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚日（蘇州）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0352
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 馬佑平

1.一種利用襯底進(jìn)行絨面加工的基板單元的形成方法用于絨面形成的制作方法，所述方法包括：?

A、提供單晶半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括第一表面和與其相對(duì)的第二表面以及第三表面和與其相對(duì)的第四表面；?

B、通過各向異性濕法腐蝕在第三表面上形成第一絨面；?

C、在所述第一絨面上形成第二絨面。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：?

D、通過各向異性濕法腐蝕在第四表面上形成第三絨面；?

E、在所述第三絨面上形成第四絨面。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體基板包括：單晶Si、單晶Ge、單晶SiGe。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述第一絨面、第三絨面為晶向{111}。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述步驟C包括：?

A、在所述第一絨面上沉淀多晶硅、非晶硅或其組合；?

B、通過刻蝕形成所述第二絨面；?

其中步驟E包括：?

A、在所述第三絨面上沉淀多晶硅、非晶硅或其組合；?

B、通過刻蝕形成所述第四絨面。?

6.一種利用襯底進(jìn)行絨面加工的基板單元：包括：?

具有第一摻雜類型的單晶半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括第一表面和與其相對(duì)的第二表面以及第三表面和與其相對(duì)的第四表面；?

形成于所述半導(dǎo)體基板的第三表面上的第一絨面；?

形成于所述第一絨面上的第二絨面。?

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板單元，還包括?

形成與所述半導(dǎo)體基板的第四表面上的第三絨面；?

形成于所述第三絨面上的第四絨面。?

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板單元，其中所述半導(dǎo)體基板包括：單晶Si、單晶Ge、單晶SiGe。?

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的基板單元，其中所述第一絨面、第三絨面為晶向{111}。?

10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的基板單元，其中所述第二絨面、第四絨面包括多晶硅、非晶硅或其組合。?