[發明專利]一種基板的清洗方法

有效

• 申請號: 201310231298.2
• 申請日: 2013-06-09
• 公開（公告）號: CN103286091B
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 張毅;翁銘廷;程大富;郭知廣;尹希磊
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/10;B08B3/02
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 王瑩

技術領域

本發明涉及清洗技術領域，特別涉及一種基板的清洗方法。

背景技術

隨著科技的發展，液晶顯示器技術也隨之不斷完善。TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場效應晶體管-液晶顯示器）以其圖像顯示品質好、能耗低、環保等優勢占據著顯示器領域的重要位置，同樣，近幾年興起的基于OLED（有機發光二極管OrganicLight-EmittingDiode）的顯示技術也日益成熟，其具有構造簡單，厚度薄，響應速度快，豐富色彩等優勢。

在LCD和OLED的工藝過程中，涉及多種高分子材料，基板經過一系列的光刻、濕法刻蝕、剝離等工藝，往往會產生有機異物，為了不影響后續產品的生產質量，現有技術中通常采用常溫水清洗基板，已達到去除有機異物的目的。

但在實際操作中發現，有機物異物在常溫水的作用下很難徹底去除，基板上仍然殘留一定的細小異物，而這些細小異物很容易誘發產品不良，極大地降低了產品的良率。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是提供一種基板的清洗方法，以克服現有技術中的清洗方法難以去除基板表面的細小異物導致誘發產品不良，造成產品良率低下的缺陷。

（二）技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供一種基板的清洗方法，包括：

對基板進行預加熱處理；

采用清洗劑對預處理過的基板進行溶解清洗；

對清洗后的基板進行二次沖洗。

優選地，所述預加熱處理具體包括：

采用熱氣源、熱水源、紅外熱源對基板進行加熱處理。

優選地，所述基板預熱的溫度為40～120℃。

優選地，所述基板預熱的溫度為100～120℃。

優選地，所述清洗劑為可溶解基板表面的有機異物的醇類洗劑、苯類洗劑、醚類或脂類中的一種。

優選地，所述醇類洗劑為異丙醇。

優選地，所述清洗劑為可溶解基板表面的有機異物的無機溶劑。

優選地，所述無機溶劑為氨水和水素水的混合溶液，所述氨水與水素水的體積比為：1:3～2:1。

優選地，所述氨水與水素水的體積比為：1：1。

優選地，所述對清洗后的基板進行二次沖洗具體包括：

采用高壓純水或高壓水汽二流體對基板進行沖洗。

優選地，采用清洗劑對基板進行清洗的過程中，還包括對基板進行二次加熱。

（三）有益效果

本發明提供的基板清洗方法，通過加熱基板同時采用清洗劑對基板進行溶解清洗，可有效增大有機異物的分子活性，促進清洗劑與有機異物的溶解度，進而有效去除細小的有機異物，提高清洗基板的潔凈度，進而提升產品的良率。

附圖說明

圖1為本發明實施例基板的清洗方法流程圖；

圖2為本發明實施例中常溫狀態下基板表面有機雜質分子活性示意圖；

圖3為本發明實施例中加熱狀態下基板表面有機雜質分子活性示 意圖；

圖4為本發明實施例基板的清洗裝置結構示意圖；

圖5為本發明實施例基板的清洗裝置結構另一示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。

如圖1所示，本實施例提供的基板清洗方法，具體包括如下步驟：

步驟S101、對基板進行預加熱處理。

具體的，采用熱氣源、熱水源、紅外熱源等熱源對基板進行加熱處理。其中熱水源的加熱溫度為80-100℃，采用熱氣源或紅外熱源基板加熱溫度可以為100-120℃。

基板預熱的溫度為25～120℃，優選的，將基板預加熱至40～120℃，較佳的，將基板預加熱至100～120℃。在本發明實施例中，基板的預加熱溫度可以根據清洗工藝的需要來調整，例如，可以將基板加熱至40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃或120℃。基板的加熱溫度越高，有機異物的分子活性越高，越容易被清洗劑溶解。

參考圖2（圖中箭頭長短表示其分子活性強弱），常溫狀態下，基板表面存在的有機異物（雜質）的分子活性較弱，不容易與清洗劑進行溶解；

參考圖3，采用上述手段對基板進行預加熱處理，可以極大地增加有機高分子異物的分子活性，促進有機異物與清洗劑的溶解，并可降低在清洗過程中對基板表面造成的溫度差，進一步促進后續清洗效果。