[發明專利]超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品及其制備方法

有效

• 申請號: 201310230831.3
• 申請日: 2013-06-08
• 公開（公告）號: CN103304215A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 倪建春;吳放
• 申請（專利權）人: 上海御窯藝術品有限公司
• 主分類號: C04B33/13
• 分類號: C04B33/13;C04B41/86
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及陶瓷制品技術領域，尤其是涉及一種超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品及其制備方法。

背景技術

傳統的陶瓷生產，普通采用一次燒成工藝，其特點是工藝簡單，工序少，成本低，但產品成品率低，色調單一，色彩單調，藝術效果差，易碎，斷裂韌性差。但隨著社會的進步及人們審美觀的變化，對于陶瓷的藝術性、觀賞性、實用性的要求也越來越高。顯然傳統的陶瓷生產工藝不能滿足上述需要了，因此，雖然現有的燒成工藝，燒制出色彩豐富，色澤潤透，古雅大方，色調絢麗的陶瓷制品，但是依舊沒有能夠改善產品成品率低、易碎，斷裂韌性差等問題。

因此，一種超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品及其制備方法的出現很有必要了。

發明內容

本發明提供一種超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品及其制備方法，以解決現有技術中的產品成品率低、易碎，斷裂韌性差等問題。

本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現：

超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品，包括陶瓷胚體，以及設置在所述陶瓷胚體表面的釉層，所述陶瓷胚體由下列重量份的原料制成：

高嶺土30～40份、石英35～45份、硅酸鋯5～10份、長石5～10份、木魚石粉3～5份、滑石5～10份、稀土3～5份；

所述釉層由下列質量百分比的原料制成：

石英15～20份、長石35～45份、納米載銀抗菌劑1～2份、滑石5～10份、氧化鋅1～3份、氧化錫1～3份、氧化銅1～3份、稀土3～5份。

作為優選的技術方案，所述陶瓷胚體由下列重量份的原料制成：

高嶺土30份、石英40份、硅酸鋯10份、長石10份、木魚石粉5份、滑石5份、稀土5份；

所述釉層由下列質量百分比的原料制成：

石英20份、長石45份、納米載銀抗菌劑1份、滑石5份、氧化鋅3份、氧化錫3份、氧化銅3份、稀土3份。

作為優選的技術方案，所述稀土為氧化鉺、氧化釹、氧化鐠、氧化鈰中的一種或幾種任意比例的混合物。

一種超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，包括以下步驟：

(a)原料配料：按重量份準確稱取下列陶瓷胚體原料，高嶺土30～40份、石英35～45份、硅酸鋯5～10份、長石5～10份、木魚石粉3～5份、滑石5～10份、稀土3～5份，并混合、粉碎、研磨、過篩，即得混合原料；

(b)模塑成型：將上述混合原料經過模塑加工成型，并干燥至15～18％水分，得青坯；

(c)胎型修理：使用工具將上述青坯修整平滑；

(d)配釉施釉：按重量份準確稱取下列釉層原料，石英15～20份、長石35～45份、納米載銀抗菌劑1～2份、滑石5～10份、氧化鋅1～3份、氧化錫1～3份、氧化銅1～3份、稀土3～5份，并混合、粉碎、研磨、過篩，即得混合釉料；對上述修整后的青坯進行施釉，即得釉坯；

(e)高溫燒制：將上述釉坯放入爐中焙燒，焙燒溫度50～1350℃，燒成時間8～12小時；

(f)冷卻成型：經釉燒后冷卻，出窯，再進行檢驗、分級、包裝。

作為優選的技術方案，步驟a中稱取的陶瓷胚體原料為高嶺土30份、石英40份、硅酸鋯10份、長石10份、木魚石粉5份、滑石5份、稀土5份。

作為優選的技術方案，步驟a中所述的混合原料的細度為通過120目篩。

作為優選的技術方案，步驟d中稱取的釉層原料為石英20份、長石45份、納米載銀抗菌劑1份、滑石5份、氧化鋅3份、氧化錫3份、氧化銅3份、稀土3份。

作為優選的技術方案，所述稀土為氧化鉺、氧化釹、氧化鐠、氧化鈰中的一種或幾種任意比例的混合物。

作為優選的技術方案，步驟d中所述的混合釉料的細度為通過280目篩。

作為優選的技術方案，步驟e中的二次釉燒包括三個階段：

干燥階段：20～800℃，升溫速度控制在50～200℃/小時；

氧化階段：800～1200℃，升溫速度控制在80～150℃/小時；

還原階段：1200～1350℃，升溫速度控制在50～80℃/小時。

本發明具有的有益效果是：通過在陶瓷胚體原料內添加硅酸鋯，增強了陶瓷的強度及斷裂韌性，不易碎；在釉料原料內添加納米載銀抗菌劑，并引入稀土元素激活納米載銀抗菌劑，從而更有效地強化抗菌效能。

附圖說明