[發(fā)明專(zhuān)利]超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310230831.3 | 申請(qǐng)日： | 2013-06-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103304215A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 倪建春;吳放 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海御窯藝術(shù)品有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | C04B33/13 | 分類(lèi)號(hào)： | C04B33/13;C04B41/86 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 201715 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 銀離子 硅酸 陶瓷工藝品 及其 制備 方法 | ||
1.超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品，包括陶瓷胚體，以及設(shè)置在所述陶瓷胚體表面的釉層，其特征在于：所述陶瓷胚體由下列重量份的原料制成：
高嶺土30～40份、石英35～45份、硅酸鋯5～10份、長(zhǎng)石5～10份、木魚(yú)石粉3～5份、滑石5～10份、稀土3～5份；
所述釉層由下列質(zhì)量百分比的原料制成：
石英15～20份、長(zhǎng)石35～45份、納米載銀抗菌劑1～2份、滑石5～10份、氧化鋅1～3份、氧化錫1～3份、氧化銅1～3份、稀土3～5份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品，其特征在于：所述陶瓷胚體由下列重量份的原料制成：
高嶺土30份、石英40份、硅酸鋯10份、長(zhǎng)石10份、木魚(yú)石粉5份、滑石5份、稀土5份；
所述釉層由下列質(zhì)量百分比的原料制成：
石英20份、長(zhǎng)石45份、納米載銀抗菌劑1份、滑石5份、氧化鋅3份、氧化錫3份、氧化銅3份、稀土3份。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品，其特征在于：所述稀土為氧化鉺、氧化釹、氧化鐠、氧化鈰中的一種或幾種任意比例的混合物。
4.超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(a)原料配料：按重量份準(zhǔn)確稱(chēng)取下列陶瓷胚體原料，高嶺土30～40份、石英35～45份、硅酸鋯5～10份、長(zhǎng)石5～10份、木魚(yú)石粉3～5份、滑石5～10份、稀土3～5份，并混合、粉碎、研磨、過(guò)篩，即得混合原料；
(b)模塑成型：將上述混合原料經(jīng)過(guò)模塑加工成型，并干燥至15～18％水分，得青坯；
(c)胎型修理：使用工具將上述青坯修整平滑；
(d)配釉施釉：按重量份準(zhǔn)確稱(chēng)取下列釉層原料，石英15～20份、長(zhǎng)石35～45份、納米載銀抗菌劑1～2份、滑石5～10份、氧化鋅1～3份、氧化錫1～3份、氧化銅1～3份、稀土3～5份，并混合、粉碎、研磨、過(guò)篩，即得混合釉料；對(duì)上述修整后的青坯進(jìn)行施釉，即得釉坯；
(e)高溫?zé)疲簩⑸鲜鲇耘鞣湃霠t中焙燒，焙燒溫度50～1350℃，燒成時(shí)間8～12小時(shí)，
(f)冷卻成型：經(jīng)釉燒后冷卻，出窯，再進(jìn)行檢驗(yàn)、分級(jí)、包裝。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，其特征在于，步驟a中稱(chēng)取的陶瓷胚體原料為高嶺土30份、石英40份、硅酸鋯10份、長(zhǎng)石10份、木魚(yú)石粉5份、滑石5份、稀土5份。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，其特征在于，步驟a中所述的混合原料的細(xì)度為通過(guò)120目篩。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，其特征在于，步驟d中稱(chēng)取的釉層原料為石英20份、長(zhǎng)石45份、納米載銀抗菌劑1份、滑石5份、氧化鋅3份、氧化錫3份、氧化銅3份、稀土3份。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，其特征在于，所述稀土為氧化鉺、氧化釹、氧化鐠、氧化鈰中的一種或幾種任意比例的混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，其特征在于，步驟d中所述的混合釉料的細(xì)度為通過(guò)280目篩。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超納米銀離子硅酸鋯陶瓷工藝品的制備方法，其特征在于，步驟e中的二次釉燒包括三個(gè)階段：
干燥階段：20～800℃，升溫速度控制在50～200℃/小時(shí)；
氧化階段：800～1200℃，升溫速度控制在80～150℃/小時(shí)；
還原階段：1200～1350℃，升溫速度控制在50～80℃/小時(shí)。
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