[發(fā)明專利]芯片封裝基板的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310230281.5
• 申請日: 2013-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN104241231B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇威碩
• 申請（專利權(quán)）人: 南安市鑫燦品牌運(yùn)營有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/60;H05K3/46
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44419
• 代理人: 曹明蘭

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝基板及其制作方法。

背景技術(shù)

芯片封裝基板可為芯片提供電連接、保護(hù)、支撐、散熱、組裝等功效，以實(shí)現(xiàn)多引腳化，縮小封裝產(chǎn)品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。

目前有一種芯片封裝基板，其在接觸墊上形成銅柱凸塊?，F(xiàn)有技術(shù)的銅柱凸塊通常采用如下方法制作：在防焊層表面形成光阻層，并在光阻層上開設(shè)對應(yīng)于多個(gè)接觸墊的多個(gè)第一開口，該多個(gè)第一開口與防焊層上用于暴露接觸墊的第二開口相連通；采用電鍍的方法在該第一開口和第二開口形成電鍍銅層；去除該光阻層，形成于該多個(gè)第一開口內(nèi)的電鍍銅層形成對應(yīng)于多個(gè)接觸墊的銅柱凸塊。然而，由于第一和第二開口均較小，為使第一開口與第二開口可以精確對位，第一開口需大于第二開口，這樣使得無法滿足業(yè)界對于凸塊細(xì)間距的需要。

發(fā)明內(nèi)容

因此，有必要提供一種使凸塊具有細(xì)間距的芯片封裝基板和芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

一種芯片封裝基板的制作方法，包括步驟：在銅箔層上形成圖案化的第一光阻層，該第一光阻層具有多個(gè)暴露該銅箔層的第一開口；在該第一光阻層表面形成圖案化的第二光阻層，該第二光阻層具有暴露該第一開口和部分第一光阻層的第二開口；通過電鍍工藝使該第一開口和第二開口內(nèi)充滿電鍍銅層，該第一開口內(nèi)的電鍍銅層構(gòu)成凸塊基部，該第二開口內(nèi)的電鍍銅層構(gòu)成第一線路層；去除該第二光阻層，并在該第一線路層上依次形成第一介電層和第二線路層；在該銅箔層表面形成圖案化的第三光阻層，該第三光阻層由多個(gè)分別與該多個(gè)凸塊基部相正對且面積小于對應(yīng)的凸塊基部的遮擋區(qū)構(gòu)成；蝕刻該銅箔層，形成分別與該多個(gè)凸塊基部相連的多個(gè)凸塊凸部，每個(gè)凸塊凸部與對應(yīng)的凸塊基部的相交面小于對應(yīng)的凸塊基部，且沿遠(yuǎn)離該凸塊基部的方向逐漸變細(xì)，該多個(gè)凸塊基部與對應(yīng)的凸塊凸部構(gòu)成多個(gè)銅柱凸塊；及去除該第三光阻層，形成芯片封裝基板。

一種芯片封裝基板的制作方法，包括步驟：提供承載板及貼附于該承載板相對兩側(cè)的兩個(gè)銅箔層；在每個(gè)銅箔層上均形成圖案化的第一光阻層，每個(gè)第一光阻層具有多個(gè)暴露該銅箔層的第一開口；在每個(gè)第一光阻層表面形成圖案化的第二光阻層，每個(gè)第二光阻層具有暴露該第一開口和部分第一光阻層的第二開口；通過電鍍工藝使每個(gè)第一開口和第二開口內(nèi)充滿電鍍銅層，每個(gè)第一開口內(nèi)的電鍍銅層構(gòu)成凸塊基部，每個(gè)第二開口內(nèi)的電鍍銅層構(gòu)成第一線路層；去除該兩個(gè)第二光阻層，并在每個(gè)第一線路層上依次形成第一介電層和第二線路層；使兩個(gè)銅箔層分別與對應(yīng)相鄰的離型膜相分離；在每個(gè)銅箔層表面形成圖案化的第三光阻層，每個(gè)第三光阻層由多個(gè)分別與對應(yīng)的多個(gè)凸塊基部相正對且面積小于對應(yīng)的凸塊基部的遮擋區(qū)構(gòu)成；蝕刻每個(gè)銅箔層，使每個(gè)銅箔層形成分別與對應(yīng)的多個(gè)凸塊基部相連的多個(gè)凸塊凸部，每個(gè)凸塊凸部與對應(yīng)的凸塊基部的相交面小于對應(yīng)的凸塊基部，且沿遠(yuǎn)離該凸塊基部的方向逐漸變細(xì)，該多個(gè)凸塊基部與對應(yīng)的凸塊凸部構(gòu)成多個(gè)銅柱凸塊；及去除每個(gè)第三光阻層，形成芯片封裝基板。

一種芯片封裝基板，包括第一線路層、第一介電層、第二線路層及多個(gè)銅柱凸塊，每個(gè)銅柱凸塊均由凸塊基部與對應(yīng)的凸塊凸部構(gòu)成，該第一線路層、第一介電層及第二線路層依次層疊設(shè)置，該多個(gè)凸塊基部分別與第一線路層相鄰且為一體結(jié)構(gòu)，該多個(gè)凸塊凸部分別形成于對應(yīng)凸塊基部的表面且與對應(yīng)的凸塊基部的相交面面積小于對應(yīng)的凸塊基部的面積，且該多個(gè)凸塊凸部分別沿遠(yuǎn)離對應(yīng)的凸塊基部的方向逐漸變細(xì)。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例芯片封裝基板的凸塊凸部與凸塊基部的相交面小于對應(yīng)凸塊基部的面積且沿遠(yuǎn)離凸塊基部的方向逐漸變細(xì)，因此可以使銅柱凸塊具有更細(xì)間距；且凸塊凸部是由蝕刻銅箔層的方法制得，銅箔層的厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于電鍍銅層等其他形式的銅層厚度，因此可使形成更小的銅柱凸塊成為可能。本實(shí)施例的芯片封裝基板也可應(yīng)用于HDI高密度積層板。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的銅箔層和第一光阻層的剖視圖。

圖2是在圖1中的第一光阻層上形成第二光阻層后的剖視圖。

圖3是在圖2中的第一光阻層和第二光阻層所限定的開口內(nèi)形成電鍍層后剖視圖。

圖4是去除圖3中的第二光阻層并壓合第一介電層后的剖視圖。

圖5是在圖4中的第一介電層上形成第二線路層后的剖視圖。

圖6是在圖5中的第二線路層上壓合第二介電層后剖視圖。

圖7是在圖6中的第二介電層上形成第三線路層后的剖視圖。

圖8是在圖7中的第三線路層上形成防焊層后的剖視圖。

圖9是在圖8中的銅箔層上形成第三光阻層后的剖視圖。