[發(fā)明專利]干法刻蝕設(shè)備中的靜電吸附板表面凸點(diǎn)的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310228245.5 | 申請日: | 2013-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN103855068A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金東熙;劉芳鈺 | 申請(專利權(quán))人: | 世界中心科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01J37/20 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中縣梧*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 刻蝕 設(shè)備 中的 靜電 吸附 表面 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種干法刻蝕設(shè)備的靜電吸附板(electric?static?chuck,ESC)的制作技術(shù),特別有關(guān)一種干法刻蝕設(shè)備的靜電吸附板的表面凸點(diǎn)制造方法。
背景技術(shù)
干法刻蝕工藝目前用在相當(dāng)多工業(yè)領(lǐng)域,其中一種是用在液晶顯示裝置的制造過程中。請參閱圖1,其顯示一種常見的干法刻蝕設(shè)備的簡易構(gòu)造圖。干法刻蝕設(shè)備10包含一上電極12、一下電極14、一反應(yīng)腔室16、一氣體入口17和一靜電吸附板18,而上電極12表面布滿均勻的氣體孔(圖中未標(biāo)示)。在進(jìn)行干法刻蝕工藝時(shí),首先將反應(yīng)氣體由氣體入口17導(dǎo)入,反應(yīng)氣體通過上電極12的氣體孔,進(jìn)入到上電極12和下電極14的間的反應(yīng)腔室16,并通過在上電極12和下電極14施加電壓差(RF+),使兩者的間形成電場,此電場進(jìn)而將反應(yīng)腔室16內(nèi)的氣體等離子體化或離子化。
在進(jìn)行干法刻蝕工藝時(shí),是將基板2(如玻璃基板)放置在靜電吸附板18上,玻璃基板2表面直接與反應(yīng)腔室16內(nèi)的氣體離子接觸而進(jìn)行反應(yīng),靜電吸附板18的作用是將玻璃基板2吸附固定,避免玻璃基板2在工藝中發(fā)生不必要的移動而影響對位。
請參閱圖2,其顯示圖1中的靜電吸附板18的結(jié)構(gòu)示意圖。靜電吸附板18上形成有特定圖案的縫隙或開口22,例如排列成方形的間隙,如圖2所示。這些間隙也可稱作氦氣孔,是用來作為氦氣在玻璃基板2與靜電吸附板18的間流通的通道,干法刻蝕工藝中是利用氦氣以熱對流方式將熱傳遞到玻璃基板2,借以控制玻璃基板2的溫度,使玻璃基板2各處的刻蝕速率均勻一致。
請參閱圖3和圖4,圖3顯示圖1中靜電吸附板18的EL區(qū)域的放大圖,圖4顯示圖3中沿著A-B線段的剖面圖。靜電吸附板18表面上具有許多球形凸起33,這些凸起33均勻分散在整個(gè)靜電吸附板18表面,這些凸起33的作用在于使得玻璃基板2與靜電吸附板18的間存在一定的空間,以供氦氣進(jìn)行熱對流流通。
現(xiàn)有技術(shù)中,靜電吸附板18通常包含一金屬導(dǎo)電層181(如鋁材)和一具備高介電是系數(shù)的介電層182(如陶瓷層),當(dāng)對金屬導(dǎo)電層181施加直流電時(shí),會在介電層182上產(chǎn)生庫倫靜電荷,進(jìn)而產(chǎn)生靜電吸力,而能夠?qū)⒉AЩ?吸附固定。現(xiàn)有的規(guī)格中,陶瓷層182厚度約1mm,最小到0.6mm,而介電層182的表面凸起33的寬度約0.6~1mm,凸起33的高度約0.5~0.1mm。
現(xiàn)有的靜電吸附板18制作方式是,利用陶瓷融射的方式在鋁材181表面形成高介電是數(shù)的陶瓷層181,并接著在陶瓷層181上覆以屏蔽利用等離子體融射方式形成表面凸起33,此屏蔽圖案與陶瓷層181表面的凸起33的分布一致。然而,這種方式需要另外訂制屏蔽,而等離子體融射機(jī)臺目前價(jià)格昂貴,這種方式不僅使得成本提高,工藝復(fù)雜也使得工期加長。另一種方式是直接在陶瓷層181表面以機(jī)械加工的方式車磨出表面凸起33,但是要在陶瓷層181表面加工出凸起并不容易,一方面是陶瓷層181的硬度很高,另一方面是成功的良率不高,因此這種方式不僅導(dǎo)致工期變長,良率的問題也影響了產(chǎn)出。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種干法刻蝕設(shè)備的靜電吸附板的表面凸點(diǎn)制造方法,以縮短制作工期,降低成本。
為達(dá)成上述目的,本發(fā)明提供一種干法刻蝕設(shè)備的靜電吸附板的表面凸點(diǎn)制造方法,該靜電吸附板包含一金屬導(dǎo)電層和一陶瓷層,當(dāng)對金屬導(dǎo)電層施加直流電時(shí),陶瓷層上會積聚庫倫靜電荷,所述制作方法包含步驟:利用介電材料制造多個(gè)球形微粒;提供金屬導(dǎo)電層,并在金屬導(dǎo)電層表面上進(jìn)行陶瓷融射,以在金屬導(dǎo)電層表面上形成陶瓷層;在陶瓷層表面車磨出多個(gè)凹洞,這些凹洞與前述球形微粒的大小相當(dāng);以及將前述球形微粒放置于陶瓷層表面上的凹洞并加以固定黏著。
本發(fā)明是通過在靜電吸附板的陶瓷層的表面制作出多個(gè)凹洞,接著將球形微粒黏合固定在陶瓷層表面的凹洞上,以形成靜電吸附板的表面凸點(diǎn)。相較于以融射方式配合屏蔽來制作靜電吸附板的表面凸起,本發(fā)明的制作方式工序簡單、工期短,而且有效降低成本。另一方面,本發(fā)明的靜電吸附板的表面凸起制作方式可解決傳統(tǒng)直接機(jī)械車磨方式所導(dǎo)致的產(chǎn)品良率不高的問題。
附圖說明
圖1所示為一種常見的干法刻蝕設(shè)備的簡易構(gòu)造圖。
圖2所示為圖1中靜電吸附板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3所示為圖1中靜電吸附板的EL區(qū)域的放大圖。
圖4所示為圖3中沿著A-B線段的剖面圖。
圖5所示為本發(fā)明的干法刻蝕設(shè)備中的靜電吸附板的表面凸點(diǎn)的制造方法的流程圖。
圖6A所示為本發(fā)明中在靜電吸附板的陶瓷層表面上形成多個(gè)凹洞的示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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