[發明專利]干法刻蝕設備中的靜電吸附板表面凸點的制造方法無效
| 申請號: | 201310228245.5 | 申請日: | 2013-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN103855068A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 金東熙;劉芳鈺 | 申請(專利權)人: | 世界中心科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01J37/20 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中縣梧*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 刻蝕 設備 中的 靜電 吸附 表面 制造 方法 | ||
1.一種干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,該靜電吸附板包含一金屬導電層和一陶瓷層,當對所述金屬導電層施加直流電時,所述陶瓷層上會積聚庫倫靜電荷,所述制作方法包含步驟:
利用介電材料制造多個球形微粒;
提供所述金屬導電層,并在該金屬導電層表面上進行陶瓷融射,以在金屬導電層表面上形成陶瓷層;
在所述陶瓷層表面車磨出多個凹洞,這些凹洞與前述球形微粒的大小相當;以及將前述球形微粒放置于該陶瓷層表面上的凹洞并加以固定黏著。
2.如權利要求1所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,所述球形微粒的材料是選自由氧化鋁、氧化鋯和氧化釔所組成的群組。
3.如權利要求1所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,所述球形微粒的制造方式是選自由燒結、機械切削、模具成型和研磨方式所組成的群組。
4.如權利要求1所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,在將前述球形微粒放置于該陶瓷層表面上的凹洞并加以固定黏著的步驟中包含:
在所述陶瓷層表面上的凹洞處填入黏合劑;
將所述球形微粒均勻分散,以充填到上述已填入黏合劑的凹洞中;以及
將所述黏合劑進行干燥固化。
5.如權利要求4所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,所述黏著劑是選自由環氧樹脂接著劑和陶瓷膠所組成的群組。
6.如權利要求4所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,在該陶瓷層表面上的凹洞處填入黏合劑的步驟包含:
采用自動點膠設備在該陶瓷層表面上的凹洞處進行黏著劑灌注。
7.如權利要求4所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,將所述黏合劑進行干燥固化的步驟中實行的干燥固化方式是選自由加熱、紫外線硬化和室溫風干固化方式所組成的群組。
8.如權利要求1所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,在將前述球形微粒放置于該陶瓷層表面上的凹洞并加以固定黏著的步驟的后,還包含:
對固定在所述凹洞的球形微粒進行加工研磨,以改變球形微粒頂部的形狀。
9.如權利要求1所述的干法刻蝕設備的靜電吸附板的表面凸點制造方法,其特征在于,在將前述球形微粒放置于該陶瓷層表面上的凹洞并加以固定黏著的步驟的后,還包含:
對固定在所述凹洞的球形微粒進行噴砂處理,以降低所述球形微粒的粗糙度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





