[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、制作該半導(dǎo)體裝置的方法及使用的掩模

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310225006.4
• 申請日: 2013-06-07
• 公開（公告）號: CN104051292B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林鎮(zhèn)元;詹景琳;林正基;連士進
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 任巖

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施例是一般關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的制造，而且特別地，本發(fā)明是關(guān)于一種新的圖形，該圖形使程序監(jiān)控成為可能，且可用于半導(dǎo)體的制造。

背景技術(shù)

目前對于超高電壓(UHV)半導(dǎo)體裝置有逐漸增加的需求。用來制造超高電壓(UHV)裝置的流程可能帶入一些遍及現(xiàn)有低壓(LV)制造技術(shù)的復(fù)雜或是困難。例如，對于超高電壓制造程序中程序監(jiān)控的實施，可能比低壓制造程序更困難。

在低壓制造程序中，監(jiān)控裝置可以置于晶粒間的劃在線。然而，用于超高電壓制造程序的該監(jiān)控裝置原本為太大而無法容身于劃線上；此外，將該監(jiān)控裝置置于其他位置，會降低芯片良率。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明指出一些用于超高電壓半導(dǎo)體裝置制造的一種新圖形的范例實施例。該圖形可提供一第二場區(qū)，其包括一主晶粒陣列；以及一第一場區(qū)，其包括一監(jiān)控裝置區(qū)及包括一輔助晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)。該第二場區(qū)高度可由該監(jiān)控區(qū)的高度所分割，如此當(dāng)圖形的各種具體實施例應(yīng)用遍及一芯片表面時，可容許用于有效的配置。該圖形，例如，可以置入用于一光刻的半導(dǎo)體制造流程中所使用的一掩模中。

因此，依照本發(fā)明的一范例實施例，是提供一種半導(dǎo)體裝置(此處所謂“范例”是指“提出作為一舉例、例示或是圖解說明”)，該半導(dǎo)體裝置包含至少一第二場區(qū)，其包括一主晶粒陣列，每一晶粒具有一高度Y₁以及一寬度X₁，且該主晶粒陣列具有一高度Y₃。依照一范例實施例，更包含至少一第一場區(qū)，包括具有一高度Y₂及一寬度X₂的一監(jiān)視區(qū)；以及具有一高度Y₂且包括一輔助晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)。該些不同區(qū)的尺寸可由以下公式相關(guān)聯(lián)：X₂＝n₁×X₁+adjustment₁、Y₂＝n₃×Y₁+adjustment₃以及Y₃＝n₄×Y₂+adjustment₄，其中n₁、n₃、與n₄為整數(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，是提供一種被配置成在一光刻半導(dǎo)體裝置工藝的期間使用的掩模，該掩模更被配置成引起至少一第二場區(qū)，包括一主晶粒陣列，每一晶粒具有一高度Y₁以及一寬度X₁，且該主晶粒陣列具有一高度Y₃的投影。根據(jù)該范例實施例的掩模，更配置成引起包括具有一高度Y₂及一寬度X₂一監(jiān)視區(qū)，以及具有一高度Y₂，并包括一輔助晶粒陣列的一輔助晶粒區(qū)的至少一第一場區(qū)的投影。該些不同區(qū)的尺寸可由以下公式相關(guān)聯(lián)；X₂＝n₁×X₁+adjustment₁、Y₂＝n₃×Y₁+adjustment₃以及Y₃＝n₄×Y₂+adjustment₄，其中n₁、n₃、與n₄為整數(shù)。