[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、制作該半導(dǎo)體裝置的方法及使用的掩模

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310225006.4
• 申請(qǐng)日: 2013-06-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104051292B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林鎮(zhèn)元;詹景琳;林正基;連士進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

至少一第二場(chǎng)區(qū)，包括：

一主晶粒(dies)陣列，每一晶粒具有一高度Y₁以及一寬度X₁，且該主晶粒陣列具有一高度Y₃，以及

至少一第一場(chǎng)區(qū)，包括：

一監(jiān)視區(qū)，具有一高度Y₂及一寬度X₂，以及

一輔助晶粒區(qū)，包括一輔助晶粒陣列；

其中：

X₂＝n₁×X₁+adjustment₁、

Y₂＝n₃×Y₁+adjustment₃

Y₃＝n₄×Q+adjustment₄；

n₁、n₃與n₄為整數(shù)；以及

Q為Y₂的一因子；以及

而且其中這些高度包括于該半導(dǎo)體裝置的一平面中一第一方向所制成的個(gè)別量度，以及這些寬度包括于該半導(dǎo)體裝置的該平面中一第二方向所制成的個(gè)別量度，該第二方向是與該第一方向正交。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中Q為Y₂的一適當(dāng)因子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中Q＝Y(jié)₂。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中Y₂與Y₃為相對(duì)質(zhì)數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一場(chǎng)區(qū)包括多個(gè)晶粒，該多個(gè)晶粒是依該第一及第二方向的至少其一延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，更包括介于至少該主晶粒陣列及該輔助晶粒陣列的每一列及每一欄之間的多個(gè)劃線，每一個(gè)劃線具有一寬度s，其中：

adjustment₁＝(n₁-1)×s；

adjustment₃＝(n₃-1)×s；以及

adjustment₄＝(n₄-1)×s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一場(chǎng)區(qū)更包括具有一高度Y₂及一寬度X₃的一測(cè)試芯片區(qū)，其中：

X₃＝n₂×X₁+adjustment₂，且n₂為一整數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，更包括n₄-1個(gè)額外的第一場(chǎng)區(qū)，該多個(gè)第一場(chǎng)區(qū)是沿著與其個(gè)別高度對(duì)應(yīng)的一軸線而互相相鄰地排列，以形成一延伸第一場(chǎng)區(qū)，該延伸第一場(chǎng)區(qū)包括具有一高度Y₃的一延伸監(jiān)視區(qū)及具有一高度Y₃的一延伸輔助晶粒區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中該延伸第一場(chǎng)區(qū)包括一第一延伸第一場(chǎng)區(qū)，該半導(dǎo)體裝置更包括至少一第二延伸第一場(chǎng)區(qū)，該第一及該第二延伸第一場(chǎng)區(qū)是沿著與其高度對(duì)應(yīng)的一軸線排列。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，更包括第三、第四、及第五延伸第一場(chǎng)區(qū)，該第三延伸第一場(chǎng)區(qū)是沿著與該第一及該第二延伸第一場(chǎng)區(qū)的高度對(duì)應(yīng)的該軸線排列，以及該第四及該第五延伸第一場(chǎng)區(qū)是排列在該第二延伸第一場(chǎng)區(qū)的任一側(cè)，且是沿著與該第二、該第四及該第五延伸第一場(chǎng)區(qū)的個(gè)別寬度對(duì)應(yīng)的一軸線排列。