[發明專利]一種硅片熱處理反應管及硅片熱處理方法

有效

• 申請號: 201310224658.6
• 申請日: 2013-06-06
• 公開（公告）號: CN103290483A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 孫少東
• 申請（專利權）人: 北京七星華創電子股份有限公司
• 主分類號: C30B33/02
• 分類號: C30B33/02;C30B29/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

1.一種硅片熱處理反應管，包括管壁和由其圍成的管腔，所述管腔用于放置待熱處理的硅片，其特征在于：一側的所述管壁內設有使外部大氣與所述管腔相連通的進氣通道，另一側的所述管壁內設有使外部大氣與所述管腔相連通的出氣通道。

2.根據權利要求1所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：

所述進氣通道包括進氣導流管和沿所述管壁軸向延伸的進氣排道，

所述進氣導流管的一端設有與外部大氣相連通的進氣口，所述進氣導流管的另一端與所述進氣排道相連通，所述進氣排道上設有與所述管腔相連通的進氣孔；

所述出氣通道包括出氣導流管和沿所述管壁軸向延伸的出氣排道，

所述出氣導流管的一端設有與外部大氣相連通的出氣口，所述出氣導流管的另一端與所述出氣排道相連通，所述出氣排道上設有與所述管腔相連通的出氣孔。

3.根據權利要求2所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述進氣導流管設置在所述管壁的外表面。

4.根據權利要求2所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述進氣導流管與所述進氣排道相連通的位置位于所述管壁軸向的中點，所述出氣導流管與所述出氣排道相連通的位置位于所述管壁軸向的中點。

5.根據權利要求2所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述進氣口和所述出氣口均位于所述管壁同一端的外表面上。

6.根據權利要求2所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述進氣孔為沿所述管壁軸向等間距排布的多個氣孔。

7.根據權利要求2所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述進氣孔為沿所述管壁軸向從所述管壁的中點向所述管壁的兩端排布密度逐漸增大的多個氣孔。

8.根據權利要求2所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述進氣排道的設有所述進氣孔一側的排道為疏松多孔介質。

9.根據權利要求2至8任一所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述管腔內的硅片與所述出氣孔之間還設有均流板。

10.根據權利要求9所述的硅片熱處理反應管，其特征在于：所述均流板為弧板，該弧板的弧頂靠近所述管腔內的硅片。

11.一種硅片熱處理方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：將權利要求1至10任一所述的硅片熱處理反應管豎直立置；

S2：將待熱處理的硅片置于所述管腔內；

S3：從所述進氣通道向所述管腔通入工藝氣體；

S4：所述工藝氣體進入所述管腔與所述待熱處理的硅片接觸并發生反應；

S5：從所述出氣通道回收與所述待熱處理的硅片反應后的工藝氣體。