[發明專利]一種硅片熱處理反應管及硅片熱處理方法

有效

• 申請號: 201310224658.6
• 申請日: 2013-06-06
• 公開（公告）號: CN103290483A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 孫少東
• 申請（專利權）人: 北京七星華創電子股份有限公司
• 主分類號: C30B33/02
• 分類號: C30B33/02;C30B29/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

技術領域

本發明涉及硅片生產技術領域，特別是一種硅片熱處理反應管。

背景技術

硅片一般被用來制作半導體，在生產硅片的過程中，需要對硅片進行熱處理。現有的硅片熱處理裝置，主要包括工藝管、硅片支撐裝置、加熱器等部件，使用時將硅片支撐裝置放置于工藝管內，硅片水平間隔地放在硅片支撐裝置上，工藝管的端部，通常為頂部，設置有工藝氣體的進氣口；工藝管的另一端，通常為底部，設置有工藝氣體的出氣口，在工藝氣體與硅片接觸的過程中，工藝氣體與硅片表面發生反應，完成所需的熱處理工藝。

為了解決以上問題，本發明做了有益改進。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明的目的是克服了現有技術進行熱處理時，工藝氣體與硅片接觸不均勻的問題，提供了一種使管腔內的硅片與工藝氣體接觸得更加同等均衡的硅片熱處理反應管。

本發明另一個要解決的技術問題是提供一種使用上述硅片熱處理反應管對硅片進行熱處理的方法。

（二）技術方案

對于一種硅片熱處理反應管這一技術主題，本發明是通過以下技術方案實現的：

一種硅片熱處理反應管，包括管壁和由其圍成的管腔，所述管腔用于放置待熱處理的硅片，一側的所述管壁內設有使外部大氣與所述管腔相連通的進氣通道，另一側的所述管壁內設有使外部大氣與所述管腔相連通的出氣通道。

進一步，所述進氣通道包括進氣導流管和沿所述管壁軸向延伸的進氣排道，

所述進氣導流管的一端設有與外部大氣相連通的進氣口，所述進氣導流管的另一端與所述進氣排道相連通，所述進氣排道上設有與所述管腔相連通的進氣孔；

所述出氣通道包括出氣導流管和沿所述管壁軸向延伸的出氣排道，

所述出氣導流管的一端設有與外部大氣相連通的出氣口，所述出氣導流管的另一端與所述出氣排道相連通，所述出氣排道上設有與所述管腔相連通的出氣孔。

進一步，所述進氣導流管設置在所述管壁的外表面。

進一步，所述進氣導流管與所述進氣排道相連通的位置位于所述管壁軸向的中點，所述出氣導流管與所述出氣排道相連通的位置位于所述管壁軸向的中點。

進一步，所述進氣口和所述出氣口均位于所述管壁同一端的外表面上。

進一步，所述進氣孔為沿所述管壁軸向等間距排布的多個氣孔。

進一步，所述進氣孔為沿所述管壁軸向從所述管壁的中點向所述管壁的兩端排布密度逐漸增大的多個氣孔。

進一步，所述進氣排道的設有所述進氣孔一側的排道為疏松多孔介質。

進一步，所述管腔內的硅片與所述出氣孔之間還設有均流板。

進一步，所述均流板為弧板，該弧板的弧頂靠近所述管腔內的硅片。

對于一種硅片熱處理方法這一技術主題，本發明是通過以下技術方案實現的：

一種硅片熱處理方法，包括如下步驟：

S1：將任一所述的硅片熱處理反應管豎直立置；

S2：將待熱處理的硅片置于所述管腔內；

S3：從所述進氣通道向所述管腔通入工藝氣體；

S4：所述工藝氣體進入所述管腔與所述待熱處理的硅片接觸并發生反應；

S5：從所述出氣通道回收與所述待熱處理的硅片反應后的工藝氣體。

（三）有益效果

與現有技術和產品相比，本發明有如下優點：

1、將反應管由端部進氣改為管壁側面進氣，改善了反應管內工藝氣體流場的分布，尤其是使得反應管兩端的工藝氣體的分布差別更小，即管腔內的工藝氣體分布更加均衡；最終使得工藝硅片都能夠最大限度的同等地接觸反應氣體，從而形成較為均勻的膜厚。

2、由于反應管經常立置使用，現有的反應管從頂端進氣，那么底端當然還要設置或外接出氣管路，很不方便，而本發明的進氣通道、出氣通道均在管壁的側面，避免了在反應管的底端再設置管路的問題。

3、進一步通過設置進氣排道，并在進氣排道上設置多個氣孔，可使得管腔內的工藝氣體更進一步保持均勻。

4、進一步將進氣導流管設置在管壁外表面，可使得工藝氣體在反應前進行預熱，提高了反應質量和反應速率。

附圖說明

圖1是本發明的軸測圖；

圖2是本發明的俯視示意圖；

圖3是本發明的進氣孔的第一種排布方式；

圖4是本發明的進氣孔的第二種排布方式；

圖5是本發明的均流板示意圖。

附圖中，各標號所代表的部件如下：