[發(fā)明專利]一種花狀ZnO納米棒團簇的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310224302.2 | 申請日: | 2013-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN103318943A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張小秋;張柯;柴瑜超;林琳;尹桂林;余震;何丹農(nóng) | 申請(專利權)人: | 上海交通大學;上海納米技術及應用國家工程研究中心有限公司 |
| 主分類號: | C01G9/02 | 分類號: | C01G9/02;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產(chǎn)權代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭國中 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 種花 zno 納米 棒團簇 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種一維納米材料的制備,具體地說,涉及的是一種花狀ZnO納米棒團簇的制備方法。
背景技術
納米材料的形貌對其性能以及相應的應用有著及其重要的影響,研究納米材料的制備方法可以實現(xiàn)對材料形貌及性能的調(diào)控。在眾多的半導體材料中,氧化鋅是一種形貌豐富的寬禁帶半導體,具有很多優(yōu)異性能,如壓電性、敏感性和光學性質(zhì)等。此外,氧化鋅還具有穩(wěn)定性高、無毒和生物相容性、可阻截紫外光等優(yōu)點,隨著寬帶隙半導體物理的發(fā)展和納米科學技術帶來的材料性能的奇特變化,一維ZnO納米材料的制備及其相關技術的研究已成為ZnO研究中的一個新方向。研究表明,ZnO納米棒等較零維納米材料顯示出了較高的熔點和熱穩(wěn)定性,低的電子誘生缺陷及良好的機電耦合性能等特點。一維ZnO納米材料在太陽能電池中如果用于工作電極,有利于電子的傳輸,減少了電子與界面的復合,提高了總效率。結(jié)構的有序?qū)е铝穗娮拥膫鬏斢行颉⒄w構型的有序,可以實現(xiàn)在宏觀力場作用下,實現(xiàn)自組裝,制成特殊的器件。因此,對氧化鋅納米材料的研究具有重要的意義和應用前景。
特定形貌的氧化鋅具有很多潛在的應用前景,因此研究者們越來越傾向于制備特定形貌的氧化鋅材料。最近,具有一維結(jié)構的氧化鋅納米材料,因其在納米裝置方面的獨特而新穎的應用價值:如紫外光發(fā)射器件、場發(fā)射晶體管、紫外光探測器、太陽能電池等方面,有著廣泛的應用前景,引起了研究者們相當多的關注,已經(jīng)成為研究中的一個新方向。
制備低維ZnO納米材料的方法很多,目前主要采用氣-液-固(VLS)法、金屬有機化學氣相沉積法(MOVCD)、電化學沉積法和模板法等。然而,這些制備方法工藝復雜、能耗大、合成條件苛刻以及難以實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。而化學溶解方法具有很多優(yōu)點,例如設備簡單、低能耗、轉(zhuǎn)化率高適用于大面積制備、低溫過程以及不需要催化輔助劑等優(yōu)點,在納米材料合成方面顯示出巨大的優(yōu)勢。
而磁控濺射法具有設備簡單、價格便宜、成膜均勻、可用于大批量制膜等優(yōu)點,目前在工業(yè)生產(chǎn)中已經(jīng)得到了廣泛的應用。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術存在的不足,本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種花狀ZnO納米棒團簇的制備方法。本發(fā)明由于Al2O3陶瓷基底的不平整性,導致濺射的ZnO種子層也不是十分光滑,最終使得在ZnO顆粒表面生長的ZnO納米棒團簇呈現(xiàn)出花狀,從而增加了它的比表面積。
為實現(xiàn)以上目的,本發(fā)明采用如下技術方案:將清洗干凈的Al2O3陶瓷片置于磁控濺射腔內(nèi),利用磁控濺射技術在純氬氣氣氛下濺射一層ZnO種子層,獲得一層ZnO薄膜,再利用化學溶解法在ZnO種子層表面生長出花狀的ZnO納米棒簇。
進一步的,上述制備方法按以下步驟進行:
(1)Al2O3陶瓷片清洗:依次用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗;
(2)濺射ZnO薄膜:采用射頻電源濺射ZnO陶瓷靶,濺射氣體為純氬氣;
(3)配制生長花狀ZnO納米棒團簇的溶液;
(4)對步驟(2)中所得Al2O3陶瓷片在步驟(3)配制的溶液里在烘箱中分兩步進行化學溶解,制備出花狀ZnO納米棒團簇。
優(yōu)選的,所述(1)中,丙酮、酒精以及去離子水超聲的時間各為5-20min。
優(yōu)選的,所述(2)中,對磁控濺射腔抽真空,使其真空度小于5.0×10-4Pa。
優(yōu)選的,所述(2)中,調(diào)節(jié)基片與靶材的距離為10~20cm,防止由于基片與靶材距離太近引起的自濺射,同時又不能太遠,從而保證成膜質(zhì)量。選用99.99%的ZnO陶瓷靶作為ZnO薄膜沉積的濺射靶。
優(yōu)選的,所述(2)中,濺射功率為20-100W,濺射時間為0.5-1h。
優(yōu)選的,所述(2)中,純氬氣的純度為99.99%以上,流量為20-80sccm,氣體壓強為0.3-0.8pa。
優(yōu)選的,所述(3)中,所配的水溶液中六水合硝酸鋅的質(zhì)量分數(shù)為0.01-0.1%,溶液中六亞甲基四胺的質(zhì)量分數(shù)為0.01-0.1%。
優(yōu)選的,所述(4)中,在烘箱中進行第一步化學溶解反應時,控釋95℃條件下6-24h;在烘箱中進行第二步化學溶解反應時,控制50℃條件下6-24h。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明具有以下有益效果:
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