[發明專利]一種花狀ZnO納米棒團簇的制備方法有效
| 申請號： | 201310224302.2 | 申請日： | 2013-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN103318943A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發明（設計）人： | 張小秋;張柯;柴瑜超;林琳;尹桂林;余震;何丹農 | 申請（專利權）人： | 上海交通大學;上海納米技術及應用國家工程研究中心有限公司 |
| 主分類號： | C01G9/02 | 分類號： | C01G9/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 種花 zno 納米 棒團簇 制備 方法 | ||
1.一種花狀ZnO納米棒團簇的制備方法，其特征包括如下步驟：
（1）Al2O3陶瓷片清洗：依次用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗；
（2）濺射ZnO薄膜：采用射頻電源濺射ZnO陶瓷靶，濺射氣體為純氬氣；
（3）配制生長花狀ZnO納米棒團簇的溶液：所配的水溶液中六水合硝酸鋅的質量分數為0.01-0.1%，六亞甲基四胺的質量分數為0.01-0.1%，
（4）將步驟（2）中所得Al2O3陶瓷片在步驟（3）配制的溶液里，在烘箱中分兩步進行化學溶解，制備出花狀ZnO納米棒團簇。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述（2）中，對磁控濺射腔抽真空，使其真空度小于5.0×10-4Pa。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述（2）中，調節Al2O3陶瓷片與靶材的距離為10～20cm，選用99.99%的ZnO陶瓷靶作為ZnO薄膜沉積的濺射靶。
4.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述（2）中，濺射功率為20-100W，濺射時間為0.5-1h。
5.根據權利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述（2）中，純氬氣的純度為99.99%以上，流量為20-80sccm，氣體壓強為0.3-0.8Pa。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述（4）中，在烘箱中進行第一步化學溶解反應時，控釋80-110℃條件下6-24h；在烘箱中進行第二步化學溶解反應時，控制40-60℃條件下6-24h。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述（1）中，丙酮、酒精以及去離子水超聲的時間各為5-20min。
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