[發(fā)明專利]襯底支持體、半導(dǎo)體制造裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310222922.2
• 申請(qǐng)日: 2013-06-06
• 公開（公告）號(hào): CN103484837A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大野彰仁;川津善平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C23C16/458
• 分類號(hào): C23C16/458;C23C16/32;C30B25/12;C30B29/36;H01L21/205
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;王忠忠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及例如在使反應(yīng)氣體反應(yīng)而在襯底表面成膜的化學(xué)氣相生長(zhǎng)裝置中使用的基座、襯底支架等的襯底支持體以及具備該襯底支持體的半導(dǎo)體制造裝置。

背景技術(shù)

在專利文獻(xiàn)1中，披露了在化學(xué)氣相生長(zhǎng)時(shí)支持襯底的襯底支持體。這種襯底支持體中，承載襯底（晶圓）的部分的至少一部分由碳化鉭（TaC）被膜的石墨材料形成，承載襯底的部分的周圍由碳化硅（SiC）被膜的石墨材料形成。

專利文獻(xiàn)：日本特開2006-60195號(hào)公報(bào)。

襯底支持體的石墨材料一旦露出，硼等就會(huì)脫氣，從而使襯底周圍的保護(hù)氣發(fā)生變化，因此多數(shù)情況下石墨材料用SiC膜覆蓋。但是，SiC膜中與襯底接觸的部分的溫度特別高，有時(shí)SiC膜就會(huì)接近升華。因此，與SiC膜相比，用熔點(diǎn)高并且耐熱性以及化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)越的TaC膜覆蓋石墨材料，能夠消除TaC膜與襯底接觸時(shí)接近升華的問題。

但是，TaC膜有容易發(fā)生斷裂、剝離，露出石墨材料的問題。此外，SiC膜和TaC膜都不能與黑錢材料緊密連接，容易剝離。因此，襯底支持體有耐用性差的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了解決上述課題而構(gòu)思，其目的在于提供能夠抑制對(duì)襯底周圍的保護(hù)氣的影響并且具有長(zhǎng)使用壽命的襯底支持體以及半導(dǎo)體制造裝置。

本發(fā)明涉及的襯底支持體是利用化學(xué)氣相生長(zhǎng)法在襯底的表面成膜時(shí)支持襯底的襯底支持體，其特征在于，具備用于容納襯底的凹部的石墨材料；在該凹部中重疊以SiC形成的第1防脫氣膜和以TaC或者HfC形成的第1防升華膜而形成的多膜層；以及在該石墨材料的該凹部以外的部分中以SiC形成的第2防脫氣膜。

本發(fā)明涉及的其他襯底支持體是利用化學(xué)氣相生長(zhǎng)法在襯底的表面成膜時(shí)支持襯底的襯底支持體，其特征在于，具備：具有用于容納襯底的凹部的石墨材料；以及多層膜，該多層膜以覆蓋該石墨材料的方式，將以SiC形成的防脫氣膜與以TaC或者HfC形成的防升華膜交替任意數(shù)量重疊而形成。

依據(jù)本發(fā)明，把石墨材料的至少一部分多層被膜，能夠抑制對(duì)襯底周圍的保護(hù)氣的影響，而且能夠制造長(zhǎng)使用壽命的襯底支持體。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的氣相成長(zhǎng)裝置的圖；

圖2是示出本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的襯底支持體的變形例的圖；

圖3是示出本發(fā)明實(shí)施方式2涉及的襯底支持體的圖；

圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式3涉及的襯底支持體的圖；

圖5是示出本發(fā)明實(shí)施方式3涉及的襯底支持體的變形例的圖；

圖6是示出本發(fā)明實(shí)施方式4涉及的襯底支持體的圖；

圖7是示出本發(fā)明實(shí)施方式5涉及的襯底支持體的圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施方式1

圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式1涉及的氣相成長(zhǎng)裝置的圖。氣相成長(zhǎng)裝置10具備襯底支持體12。襯底支持體12在利用化學(xué)氣相生長(zhǎng)法在襯底的表面成膜時(shí)支持襯底。襯底支持體12具備石墨材料14。石墨材料14具備用于容納襯底的凹部14a。

在凹部14a中形成有以SiC形成的第1防脫氣膜16。第1防脫氣膜16的膜厚為100μm。在凹部14a中的第1防脫氣膜16之上形成有以TaC或者HfC形成的第1防升華膜18。第1防升華膜18的膜厚為30μm。如此，在石墨材料14的凹部14a中，第1防脫氣膜16和第1防升華膜18重疊而形成多層膜。

在石墨材料14的凹部14a以外的部分中，形成SiC形成的第2防脫氣膜20。第1防脫氣膜16與第2防脫氣膜20形成一體。在襯底支持體12之中，與凹部14a相反的面通過絕熱材料22固定在固定部件24。在固定部件24的外側(cè)準(zhǔn)備RF線圈26。

在襯底支持體12的上方，隔著反應(yīng)氣體的流道形成石墨材料30。石墨材料30通過絕熱材料32固定在固定部件34。在固定部件34的上方準(zhǔn)備RF線圈36。

說明襯底支持體12的制造方法。首先，在具有凹部14a的石墨材料14的整個(gè)面形成SiC膜。由此形成第1防脫氣膜16和第2防脫氣膜20。接著，用以石墨材料等形成的遮蔽部件覆蓋凹部14a以外。這種狀態(tài)下，在凹部14a以TaC或者HfC形成第1防升華膜18。最后，撤去遮蔽部件。