[發(fā)明專利]襯底支持體、半導體制造裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310222922.2 | 申請日： | 2013-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN103484837A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 大野彰仁;川津善平 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | C23C16/458 | 分類號： | C23C16/458;C23C16/32;C30B25/12;C30B29/36;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 支持 半導體 制造 裝置 | ||
1.?一種襯底支持體，利用化學氣相生長法在襯底的表面成膜時支持襯底，所述襯底支持體的特征在于，具備：
石墨材料，具有用于容納襯底的凹部；
多層膜，在所述凹部中重疊以SiC形成的第1防脫氣膜與以TaC或者HfC形成的第1防升華膜而形成；以及
第2防脫氣膜，在所述石墨材料的所述凹部以外的部分中以SiC形成。
2.?如權利要求1所述的襯底支持體，其特征在于，
所述第1防升華膜位于所述第1防脫氣膜之上。
3.?如權利要求2所述的襯底支持體，其特征在于，
所述第1防升華膜具有覆蓋所述第2防脫氣膜的延伸部；
在所述延伸部之上，形成了以SiC形成的第3防脫氣膜。
4.?如權利要求1所述的襯底支持體，其特征在于，
所述第1防脫氣膜位于所述第1防升華膜之上；
所述第1防升華膜的一部分，在所述第2防脫氣膜與所述石墨材料之間形成。
5.?如權利要求4所述的襯底支持體，其特征在于，
在所述凹部的所述第1防脫氣膜之上具備以TaC或者HfC形成的第2防升華膜。
6.?一種襯底支持體，利用化學氣相生長法在襯底的表面成膜時支持襯底，所述襯底支持體的特征在于，具備：
石墨材料，具有用于容納襯底的凹部；
多層膜，以覆蓋所述石墨材料的方式，將以SiC形成的防脫氣膜與以TaC或者HfC形成的防升華膜交替任意數(shù)量地重疊而形成。
7.?一種半導體制造裝置，其特征在于，具備：
權利要求1～6的任一項所述的襯底支持體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
