[發明專利]一種快速高效的晶背缺陷識別方法有效
| 申請號: | 201310220498.8 | 申請日: | 2013-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN103295930B | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發明(設計)人: | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟;王愷 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 高效 缺陷 識別 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種晶圓背面缺陷檢測方法,屬于集成電路制造工藝技術領域,尤其涉及一種快速高效的晶背缺陷識別方法。
背景技術
隨著集成電路工藝的發展以及按比例尺寸縮小,現代集成電路生產線的工藝復雜程度越來越高,晶圓背面的缺陷對良率的影響也越來越大,根據目前生產的經驗來看,晶圓背面的某種特定形狀的缺陷90%以上和設備的某些相關零件的圖形特征有一一對應的關系。如果需要查清有問題的工藝和機臺就需要進行大量的數據比對和分析,但是,目前針對晶圓背面的缺陷監控在集成電路生產工藝過程中是相對比較少,可供查找和分析的數據記錄是非常有限的,一旦有缺陷發現時往往對產品的影響已經比較大了,而且由于工藝的復雜性給真正的原因分析也帶來了很大的困難,嚴重影響生產的正常進行。
中國發明專利申請(公開號:102053093A)公開了一種晶圓表面切割芯片的表面缺陷檢測方法,包括以下步驟:一、建立無缺陷的晶圓表面的晶圓表面模板圖像庫;二、獲取的待檢測的單個芯片的圖像;三、將獲取的待檢測的單個芯片的圖像與晶圓表面模板圖像庫中的圖像進行比對,根據比對結果判斷晶圓表面切割芯片是否存在表面缺陷。能夠準確的識別出崩邊、劃痕、污染等缺陷,并且具有快速、精確的特點,其處理方法簡單,便于作為一個獨立的的模塊集成到系統中,也降低了芯片的測試成本,穩定了芯片的成品率。該專利申請雖然也設立了數據庫,但其實際解決的技術問題和采用的技術手段和本發明并不相同。
中國發明專利(公開號:101339913)公開了一種半導體晶圓的缺陷位置檢測方法。由第1檢測單元檢測半導體晶圓的外周形狀,根據第1檢測單元的檢測結果求出晶圓的中心位置。另外,由第2檢測單元接受來自晶圓面的反射光,根據第2檢測單元的檢測結果檢測定位部位,求出該定位部位的位置。并且,根據第2檢測單元的檢測結果檢測缺陷,求出該缺陷的位置。該發明是為了檢測出晶圓的缺陷位置,而本發明是為了快速高效的識別出晶圓背面缺陷是由何種機臺相關零件引起的,故該發明并未解決本發明的技術問題。
發明內容
針對上述存在的問題,本發明公開一種快速高效的晶背缺陷識別方法,以克服現有技術中對晶圓背面的缺陷查找和分析較困難、嚴重影響生產的問題。
為了實現上述目的,本發明采用如下技術方案:
一種快速高效的晶背缺陷識別方法,其中,包括如下步驟:創建一存放有圖形信息數據的圖形信息數據庫;將在線發現晶圓背面缺陷的照片轉化為數據化的模擬圖片;將上述數據化的模擬圖片中的晶圓背面缺陷特征數據輸入到上述圖形信息數據庫中;上述圖形信息數據庫根據所述晶圓背面缺陷特征數據對存儲其中的圖形信息數據進行自動搜索,以搜索到與上述晶圓背面缺陷特征數據匹配程度最高的圖形信息數據;其中,上述圖形信息數據為集成電路生產工廠中所有會與晶圓背面接觸造成晶圓背面缺陷的機臺相關零件的數據。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,還包括對上述匹配程度最高的圖形信息數據對應的機臺相關零件做進一步原因分析、查找或澄清步驟。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,所述數據化的模擬圖片通過對在線發現晶圓背面缺陷的照片進行灰階處理得到。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,所述圖形信息數據包括圖形特征參數數據、生產特性數據,每個機臺相關零件的圖形信息數據均為由若干個形狀不同的最小重復單元圖形重復排列后組成的數據。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,所述每個形狀不同的最小重復單元圖形的數量和尺寸不同。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,所述最小重復單元圖形包括方形、圓形、三角形、多邊形、直線或者曲線中的一種或幾種。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,所述數據化的模擬圖片包括由若干個形狀不同的最小重復單元圖形重復排列后組成的數據,將所述數據化的模擬圖片中晶圓背面缺陷部分的所有最小重復單元圖形重復排列后的特征數據輸入到所述圖形信息數據庫中進行自動搜索匹配。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,所述每個形狀不同的最小重復單元圖形的數量和尺寸不同。
上述的晶背缺陷識別方法,其中,所述最小重復單元圖形包括方形、圓形、三角形、多邊形、直線或者曲線中的一種或幾種。
本發明具有如下優點或者有益效果:
本發明可以實現快速和自動的對晶圓背面缺陷的原因進行查找,減少缺陷對正常生產的影響,控制工藝質量和提升產品的良率,同時降低生產的成本,并且可以降低設置晶背的檢測站點來減少人力和工藝成本的增加。
具體附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





