[發明專利]一種快速高效的晶背缺陷識別方法有效
| 申請號: | 201310220498.8 | 申請日: | 2013-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN103295930B | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發明(設計)人: | 倪棋梁;陳宏璘;龍吟;王愷 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 高效 缺陷 識別 方法 | ||
1.一種快速高效的晶背缺陷識別方法,其特征在于,包括如下步驟:
創建一存放有圖形信息數據的圖形信息數據庫;
將在線發現晶圓背面缺陷的照片轉化為數據化的模擬圖片;
將上述數據化的模擬圖片中的晶圓背面缺陷特征數據輸入到上述圖形信息數據庫中;
上述圖形信息數據庫根據所述晶圓背面缺陷特征數據對存儲其中的圖形信息數據進行自動搜索,以搜索到與上述晶圓背面缺陷特征數據匹配程度最高的圖形信息數據;
其中,上述圖形信息數據為集成電路生產工廠中所有會與晶圓背面接觸造成晶圓背面缺陷的機臺相關零件的數據;
所述圖形信息數據包括圖形特征參數數據、生產特性數據,每個機臺相關零件的圖形信息數據均為由若干個形狀不同的最小重復單元圖形重復排列后組成的數據;
所述數據化的模擬圖片包括由若干個形狀不同的最小重復單元圖形重復排列后組成的數據,每個形狀不同的最小重復單元圖形的數量和尺寸不同,所述最小重復單元圖形包括方形、圓形、三角形、多邊形、直線或者曲線中的一種或幾種;
將所述數據化的模擬圖片中晶圓背面缺陷部分的所有最小重復單元圖形重復排列后的特征數據輸入到所述圖形信息數據庫中進行自動搜索匹配。
2.根據權利要求1所述的晶背缺陷識別方法,其特征在于,還包括對上述匹配程度最高的圖形信息數據對應的機臺相關零件做進一步原因分析、查找或澄清步驟。
3.根據權利要求1所述的晶背缺陷識別方法,其特征在于,所述數據化的模擬圖片通過對在線發現晶圓背面缺陷的照片進行灰階處理得到。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





