[發明專利]片式層壓電子元件、用于安裝該元件的板及其封裝單元

有效

• 申請號: 201310218442.9
• 申請日: 2012-09-24
• 公開（公告）號: CN103456494A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 安永圭;樸祥秀;樸珉哲;鄭世火
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30;H05K1/18;B65D85/86
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 施娥娟;董彬

本申請是申請日為2012年9月24日、申請號為201210359200.7、名稱為“片式層壓電子元件、用于安裝該元件的板及其封裝單元”的中國專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2012年5月30日在韓國知識產權局申請的韓國專利申請No.10-2012-0057723和于2012年8月16日在韓國知識產權局申請的韓國專利申請No.10-2012-0089522的優先權，在此通過引用將這兩個申請的全部內容并入本申請中。

技術領域

本發明涉及一種用于降低由片式層壓電子元件所產生的噪聲的片式層壓電子元件、用于安裝該元件的板及其封裝單元。

背景技術

多層電容器是一種片式層壓電子元件，其包括形成在多個電介質層之間的內電極。

當直流和交流電壓施加在多層電容器（該多層電容器具有內電極，且所述內電極與介于所述內電極之間的電介質層重疊）時，在內電極之間會產生壓電效應，從而產生振動。

隨著電介質層的電容率升高以及基于相同電容的基片的尺寸增大，產生的振動變得更為強烈。產生的振動從多層電容器的外電極轉移至安裝該多層電容器的印刷電路板（PCB）上。這里，印刷電路板振動產生噪音。

當由于印刷電路板的振動而產生的噪音包括在音頻里時，相應的振動聲音會使用戶感到不適，該聲音被稱為聲噪聲。

為了降低噪聲，本發明的發明者已經對多層電容器內的內電極的相對于印刷電路板的安裝方向進行了研究。作為研究結果，已經認識到，與將多層電容器在印刷電路板上的方向安裝為使得多層電容器的內電極與印刷電路板相垂直的情況相比，將多層電容器在印刷電路板上安裝為具有使得多層電容器的內電極與印刷電路板水平的方向性可以降低聲噪聲。

然而，即使在多層電容器在印刷電路板上安裝為使得多層電容器的內電極與印刷電路板相水平的情況下，仍可以測量到聲噪聲并確定為處于一定的噪聲水平或更高，所以進一步降低聲噪聲值得研究。

【現有技術文件】

（專利文件1）日本專利公開號1994-268464

（專利文件2）日本專利公開號1994-215978

（專利文件3）日本專利公開號1996-130160

專利文件1公開了內電極安裝成相對于印刷電路板呈水平的方向，但是該內電極具有減小信號線之間的間距以降低高頻噪聲的技術特征。同時，專利文件2和專利文件3揭示了多層電容器中的不同厚度的上覆蓋層和下覆蓋層。然而，這些文件沒有提出任何降低聲噪聲的啟示或解決方案。此外，這些文件完全沒有公開或預示工作層的中心部偏離片式層壓電容器的中心部的程度、上覆蓋層和下覆蓋層之間的比值、下覆蓋層與陶瓷本體的厚度之間的比值、以及下覆蓋層與工作層的厚度之間的比值等。

發明內容

本發明的一方面提供一種作為片式層壓電容器的多層電容器，在該片式層壓電容器中，下覆蓋層厚于上覆蓋層，工作層的中心部設置成處于偏離陶瓷本體中心部的范圍之內。

本發明的另一方面提供一種用于安裝片式層壓電子元件的板，片式層壓電子元件在所述板上安裝為使得該片式層壓元件的內電極相對于印刷電路板（PCB）水平，且下覆蓋層鄰近于所述印刷電路板，以此降低聲噪聲。

本發明的另一方面提供一種片式層壓電子元件的封裝單元，在該封裝單元中，片式層壓電子元件的內電極基于封裝片的容納部的下表面水平布置和定位。

根據本發明的一方面，提供了一種片式層壓電子元件，該片式層壓電子元件包括：陶瓷本體，該陶瓷本體包括內電極和電介質層；外電極，該外電極形成為覆蓋所述陶瓷本體沿長度方向的兩端；工作層，該工作層內相對布置有所述內電極且所述內電極之間布置有所述電介質層，以形成電容；上覆蓋層和下覆蓋層，該上覆蓋層和下覆蓋層形成在所述工作層沿厚度方向的上部和下部，所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度，其中當將所述陶瓷本體的厚度的一半定義為A、所述下覆蓋層的厚度定義為B、所述工作層的厚度的一半定義為C以及所述上覆蓋層的厚度定義為D時，所述上覆蓋層的厚度（D）滿足D≥4μm的范圍且所述工作層的中心部偏離所述陶瓷本體的中心部的比值（B+C）/A滿足1.063≤（B+C）/A≤1.745的范圍。

所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B的比值D/B可以滿足0.021≤D/B≤0.422。

所述下覆蓋層的厚度B與所述陶瓷本體的厚度的一半A的比值B/A可以滿足0.329≤B/A≤1.522。