[發(fā)明專利]片式層壓電子元件、用于安裝該元件的板及其封裝單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310218442.9
• 申請(qǐng)日: 2012-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103456494A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安永圭;樸祥秀;樸珉哲;鄭世火
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G4/12
• 分類號(hào): H01G4/12;H01G4/005;H01G4/30;H05K1/18;B65D85/86
• 代理公司: 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 施娥娟;董彬

1.一種片式層壓電子元件，該片式層壓電子元件通過(guò)焊料安裝在印刷電路板上，所述焊料與所述片式層壓電子元件和所述印刷電路板接觸，所述片式層壓電子元件包括：

（i）陶瓷本體，該陶瓷本體包括：

工作區(qū)域，在該工作區(qū)域內(nèi)以彼此相對(duì)的方式交替地布置有多個(gè)內(nèi)電極，并且該多個(gè)內(nèi)電極之間布置有電介質(zhì)層，以形成電容；

上覆蓋層，該上覆蓋層位于所述工作區(qū)域的最上方的內(nèi)電極的上表面；

下覆蓋層，該下覆蓋層位于所述工作區(qū)域的最下方的內(nèi)電極的下表面，并且所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度；以及

（ii）位于所述陶瓷本體上的第一外電極和第二外電極，

其中，所述多個(gè)內(nèi)電極分別交替地連接至所述第一外電極和所述第二外電極，并且

使得所述工作區(qū)域的沿厚度方向的中心高于所述陶瓷本體的沿厚度方向的中心；并且

其中，當(dāng)向所述工作區(qū)域施加外部電壓時(shí)，所述陶瓷本體的沿長(zhǎng)度方向的每一側(cè)的最大變形點(diǎn)位于或者高于所述焊料的沿厚度方向的高度的水平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式層壓電子元件，其中，所述第一外電極和所述第二外電極分別布置在所述陶瓷本體的相對(duì)的側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式層壓電子元件，其中，當(dāng)所述陶瓷本體的厚度的一半定義為A、所述下覆蓋層的厚度定義為B、所述工作區(qū)域的厚度的一半定義為C以及所述上覆蓋層的厚度定義為D時(shí)，所述上覆蓋層的厚度D滿足D≥4μm的范圍且所述工作區(qū)域的中心部偏離所述陶瓷本體的中心部的比值（B+C）/A滿足1.063≤（B+C）/A≤1.745的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式層壓電子元件，其中，所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B的比值D/B滿足0.021≤D/B≤0.422。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式層壓電子元件，其中，所述下覆蓋層的厚度B與所述陶瓷本體的厚度的一半A的比值B/A滿足0.329≤B/A≤1.522。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式層壓電子元件，其中，所述工作區(qū)域的厚度的一半C與所述下覆蓋層的厚度B的比值C/B滿足0.146≤C/B≤2.458。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式層壓電子元件，其中，所述陶瓷本體的上表面和下表面中的至少一個(gè)表面形成有用于區(qū)分上部和下部的標(biāo)記。

8.一種片式層壓電子元件，該片式層壓電子元件通過(guò)焊料安裝在印刷電路板上，所述焊料與所述片式層壓電子元件和所述印刷電路板接觸，所述片式層壓電子元件包括：

（i）陶瓷本體，該陶瓷本體包括：

工作區(qū)域，在該工作區(qū)域內(nèi)以彼此相對(duì)的方式交替地布置有多個(gè)內(nèi)電極，并且該多個(gè)內(nèi)電極之間布置有電介質(zhì)層，以形成電容；

上覆蓋層，該上覆蓋層位于所述工作區(qū)域的最上方的內(nèi)電極的上表面；和下覆蓋層，該下覆蓋層位于所述工作區(qū)域的最下方的內(nèi)電極的下表面，并且所述下覆蓋層的厚度大于所述上覆蓋層的厚度；以及

（ii）位于所述陶瓷本體上的第一外電極和第二外電極，

其中，所述多個(gè)內(nèi)電極分別交替地連接至所述第一外電極和所述第二外電極，并且

其中，所述工作區(qū)域的沿厚度方向的中心高于所述陶瓷本體的沿厚度方向的中心；并且

使得當(dāng)向所述工作區(qū)域施加外部電壓時(shí)，所述陶瓷本體的每一側(cè)的變形拐點(diǎn)位于或者低于所述焊料的沿厚度方向的高度的水平，在所述變形拐點(diǎn)處，所述陶瓷本體在膨脹和收縮之間轉(zhuǎn)換。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的片式層壓電子元件，其中，所述第一外電極和所述第二外電極分別布置在所述陶瓷本體的相對(duì)的側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的片式層壓電子元件，其中，當(dāng)所述陶瓷本體的厚度的一半定義為A、所述下覆蓋層的厚度定義為B、所述工作區(qū)域的厚度的一半定義為C以及所述上覆蓋層的厚度定義為D時(shí)，所述上覆蓋層的厚度D滿足D≥4μm的范圍且所述工作區(qū)域的中心部偏離所述陶瓷本體的中心部的比值（B+C）/A滿足1.063≤（B+C）/A≤1.745的范圍。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的片式層壓電子元件，其中，所述上覆蓋層的厚度D與所述下覆蓋層的厚度B的比值D/B滿足0.021≤D/B≤0.422。