[發明專利]一種快速檢測材料晶粒度的方法有效
| 申請號: | 201310217350.9 | 申請日: | 2013-06-04 |
| 公開(公告)號: | CN103335922A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 任慧遠;闞林;王建璞 | 申請(專利權)人: | 盤起工業(大連)有限公司 |
| 主分類號: | G01N15/02 | 分類號: | G01N15/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 檢測 材料 晶粒 方法 | ||
技術領域
????本發明涉及材料檢測領域,特別涉及一種快速檢測材料晶粒度的方法。?
背景技術
????在檢測材料晶粒度的方法中,傳統的檢測方法的檢測步驟通常是:原材料取樣后,放入真空爐中“淬火+回火”,然后鑲嵌成金相試樣,進行研磨、拋光,并用4%硝酸酒精溶液腐刻,最后在金相顯微鏡下觀察晶粒度,此方法的檢測工序繁雜,而且檢測晶粒度的準確性低。?
發明內容
本發明的目的是:為了克服現有技術中的技術問題,提供了一種快速檢測材料晶粒度的方法,減少了檢測工序,并且能夠準確的進行晶粒度評級。?
????為達到上述目的,本發明采用的技術方案是:提供了一種快速檢測材料晶粒度的方法,包括以下步驟:?
????步驟1:原材料取樣;在要檢測晶粒度的原材料上切取試樣。
????步驟2:對試樣進行平磨;在平面磨床上將試樣的橫截面進行磨削,保證粗糙度。?
????步驟3:真空爐淬火;包括以下子步驟:?
????步驟3.1:將試樣清洗干凈后,放入真空爐中;
????步驟3.2:將真空爐內的真空度調至2Pa~200Pa;
????步驟3.3:對試樣進行加熱,加熱溫度與時間為:(500~650)℃*(10-50)min+(800~900)℃*(10-40)min?+t℃*(10-90)min,t為某種材料的加熱溫度;材料的化學成分不同,最終淬火加熱溫度t℃不同;真空爐的爐型不同,裝爐量不同,保溫時間則不同。
????步驟3.4:將加熱后的試樣在真空爐內用N2進行冷卻;適用于氣體淬火得到馬氏體組織的合金鋼。?
步驟4:觀察晶粒度;從真空爐中取出試樣(注意不可用手直接接觸磨削面,以免影響觀察效果),直接放在金相顯微鏡的載物臺上,在金相顯微鏡下觀察晶粒度,完成晶粒度檢測。?
其中,所述粗糙度Ra≤1.6。?
其中,所述真空爐內的真空度調整在100Pa。?
其中,所述步驟3.3中試樣加熱溫度與時間為:550℃*50min+850℃*40min?+1030℃*90min。?
其中,所述金相顯微鏡為400倍或500倍。?
????本發明的有益效果是:與傳統的晶粒度檢測方法相比,其特點是:1.原工藝是將試樣在真空爐內“淬火+回火”,本發明只需在真空爐內“淬火”即可,省去回火工序;2.淬火后直接在金相顯微鏡下觀察,不需要鑲嵌試樣、研磨、拋光、腐刻過程;3.晶界輪廓清晰,沒有任何其他組織的干擾,可以準確進行晶粒度評級。?
附圖說明
圖1為傳統方法檢測材料晶粒度的金相照片。?
圖2為本發明檢測材料晶粒度的金相照片。?
圖3為本發明檢測SKD61材料晶粒度的金相照片。?
圖4為本發明檢測DC53材料晶粒度的金相照片。?
圖5為本發明檢測SKH51材料晶粒度的金相照片。?
具體實施方式
????本發明一種快速檢測材料晶粒度的方法,包括以下步驟:?
????步驟1:原材料取樣;在要檢測晶粒度的原材料上切取試樣。
????步驟2:對試樣進行平磨;在平面磨床上將試樣的橫截面進行磨削,保證粗糙度。?
????步驟3:真空爐淬火;包括以下子步驟:?
????步驟3.1:將試樣清洗干凈后,放入真空爐中;
????步驟3.2:將真空爐內的真空度調至在2Pa~200Pa;
????步驟3.3:對試樣進行加熱,加熱溫度與時間為:(500~650)℃*(10-50)min+(800~900)℃*(10-40)min?+t℃*(10-90)min,t為某種材料的加熱溫度;材料的化學成分不同,最終淬火加熱溫度t℃不同;真空爐的爐型不同,裝爐量不同,保溫時間則不同。
????步驟3.4:將加熱后的試樣在真空爐內用N2進行冷卻;適用于氣體淬火得到馬氏體組織的合金鋼。?
步驟4:觀察晶粒度;從真空爐中取出試樣(注意不可用手直接接觸磨削面,以免影響觀察效果),直接放在金相顯微鏡的載物臺上,在金相顯微鏡下觀察晶粒度,完成晶粒度檢測。?
所述粗糙度Ra≤1.6。?
所述真空爐內的真空度調整在100Pa。?
所述步驟3.3中試樣加熱溫度與時間為:550℃*50min+850℃*40min?+1030℃*90min。?
所述金相顯微鏡為400倍或500倍。?
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