[發明專利]半導體制造方法

有效

• 申請號: 201310215646.7
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN104217947B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 殷華湘;羅軍;陳率;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/311
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，用于制造FinFET器件，其中，包括如下步驟：

提供襯底，在所述襯底上形成鰭片；

形成假柵極絕緣層；

全面性形成假柵極層，所述假柵極層的材料為P型多晶硅或非晶硅，其中，位于所述鰭片正上方的所述假柵極層具有第一頂面，位于所述鰭片之外的所述襯底上方的所述假柵極層具有第二頂面，所述第一頂面高于所述第二頂面；

形成完全覆蓋所述假柵極層的介質層；

對所述介質層進行回刻蝕，暴露出所述假柵極層的所述第一頂面；

經由暴露的所述第一頂面對所述假柵極層進行刻蝕，直至被刻蝕的所述假柵極層的頂面與所述第二頂面平齊；

去除所述介質層，從而獲得具有平坦表面的所述假柵極層；

其中，對所述介質層進行回刻蝕的具體工藝包括：反應離子刻蝕、離子銑、離子束刻蝕或濕法腐蝕。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介質層的材料為氧化物。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述介質層為二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，經由暴露的所述第一頂面對所述假柵極層進行刻蝕的具體工藝為各向異性干刻蝕。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述鰭片之間形成隔離結構。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述介質層，從而獲得具有平坦表面的所述假柵極層之后，還包括：

形成柵極側墻；

形成源漏區域；

去除所述假柵極層和所述假柵極絕緣層；

形成高K柵極絕緣層和金屬柵極。