[發明專利]半導體器件中側墻的制造方法

有效

• 申請號: 201310215052.6
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103280408A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 荊泉;許進;任昱;呂煜坤;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種半導體器件中側墻的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01，在柵極上依次淀積第一介質膜和第二介質膜，量取第二介質膜淀積后的成膜厚度，與標準厚度規格相減，得到厚度調整值；

步驟S02，對第二介質膜進行主刻蝕；

步驟S03，對第二介質膜進行過刻蝕；

步驟S04，對第二介質膜進行調整刻蝕：根據該厚度調整值以及刻蝕速率，得到調整刻蝕的刻蝕時間，以該刻蝕時間對第二介質膜進行再次刻蝕，得到寬度符合標準的側墻。

2.根據權利要求1所述的半導體器件中側墻的制造方法，其特征在于：步驟S01采用光學測量儀實時量取第二介質膜厚度。

3.根據權利要求2所述的半導體器件中側墻的制造方法，其特征在于：步驟S02采用終點檢測系統對刻蝕終點進行判斷，步驟S03采用對第二介質膜高選擇比的刻蝕介質進行刻蝕。

4.根據權利要求3所述的半導體器件中側墻的制造方法，其特征在于：步驟S04采用化學刻蝕，并采用先進工藝控制系統（APC）對第二介質膜厚度的光學測量值進行實時監控，并實時對調整刻蝕的時間進行計算。

5.根據權利要求4所述的半導體器件中側墻的制造方法，其特征在于：第二介質膜淀積后的厚度為W1，標準厚度為W0，厚度調整值為ΔW=W1-W0，調整刻蝕步驟的刻蝕速率為R，則步驟S04的調整刻蝕時間為t=ΔW/R。

6.根據權利要求1至5任一項所述的半導體器件中側墻的制造方法，其特征在于：該第一介質膜是氧化硅，第二介質膜是氮化硅。