[發明專利]MWT太陽能電池片的制造方法無效
| 申請號: | 201310214858.3 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103268908A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發明(設計)人: | 陳迎樂;趙文超;王建明;王子謙;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請(專利權)人: | 英利集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 吳貴明;張永明 |
| 地址: | 071051 河*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mwt 太陽能電池 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及光伏太陽能電池領域,具體而言,涉及一種MWT太陽能電池片的制造方法。
背景技術
在MWT太陽能電池片的制造過程中,需要使用激光對硅片進行打孔和消融處理:打孔用來形成上下貫穿的電極,這是形成MWT電池的關鍵;消融以去除局部背場,防止上下表面柵線之間短路導致漏電,影響電池電參數。激光在MWT電池的形成過程中必不可少,但激光處理過程中熱積累、沖擊波等效應明顯,在孔周圍及消融區域可見明顯的顆粒狀物質堆積,即激光損傷層。損傷層中大量存在的載流子復合中心會降低光生載流子壽命,并導致電池漏電,影響電池光電轉換效率。
現有的去除激光損傷的方法為在激光未處理過的區域即不需要去損傷的區域形成耐腐蝕性掩膜層(如二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等)后,再將硅片浸入堿性溶液中去除無掩膜覆蓋區域的損傷層。此種方法能夠對無掩膜區域及激光損傷區域較好的去除,但對掩膜質量有很高的要求,如果掩膜質量欠佳,則清洗過程中,堿溶液可能會對掩膜覆蓋區域造成損傷;除此之外,此種方法還需考慮如何形成合適的掩膜形狀,并且還要利用化學設備進行堿洗,增加了工藝復雜度和流程。
發明內容
本發明旨在提供一種MWT太陽能電池片的制造方法,以解決現有的MWT太陽能電池片激光損傷去除方法存在的工藝復雜、制造成本高的問題。
為了實現上述目的,根據本發明的一個方面,提供了一種MWT太陽能電池片的制造方法,包括以下步驟:S1:利用激光技術在制造MWT太陽能電池片的基底上形成過料孔,并在基底背面且位于過料孔的周圍的區域進行消融;S2:在過料孔的內壁表面以及消融區域印刷腐蝕漿料,去除激光打孔和消融過程對基底帶來的損傷。
進一步地,采用絲網印刷的方式將腐蝕漿料印刷在過料孔的內壁表面以及消融區域。
進一步地,印刷腐蝕漿料時,其印刷區域為以過料孔的中心為圓心,半徑為0.5mm至5mm的圓所確定的區域。
進一步地,在S2的步驟之后還包括:對基底進行烘干,烘干時的溫度為200℃至300℃,時間為2min至10min。
進一步地,對基底進行烘干之后還包括:利用氫氟酸溶液和去離子水對基底進行清洗,清洗時間大于1min。
進一步地,腐蝕漿料對過料孔的內壁表面以及消融區域的腐蝕深度為1nm至50nm。
進一步地,過料孔的直徑為50μm至500μm。
進一步地,在S1的步驟之前還包括預處理步驟,預處理步驟包括:對基底進行清洗、制絨;利用高溫擴散的方法在基底的正面形成發射極、在基底的背面形成背場;對基底進行邊緣刻蝕;在基底的上下表面都形成SiNx層。
進一步地,利用氫氟酸溶液和去離子水對基底進行清洗的步驟之后還包括:采用絲網印刷,對基底進行過孔漿料、背面柵線、正面柵線的印刷,最后對基底進行燒結。
進一步地,印刷腐蝕漿料時,絲網上設置有一層防水膜。
應用本發明的技術方案,MWT太陽能電池片的制造方法包括以下步驟:S1:利用激光技術在制造MWT太陽能電池片的基底上形成過料孔,并在基底背面且位于過料孔的周圍的區域進行消融;S2:在過料孔的內壁表面以及消融區域印刷腐蝕漿料,去除激光打孔和消融過程對基底帶來的損傷。根據本發明的MWT太陽能電池片的制造方法,在激光打孔的區域以及激光消融區域采用腐蝕漿料腐蝕之后,能夠去除采用激光技術進行打孔和消融帶來的不利影響,保證電池光電轉換的效率,此外,使用本發明的方法,能夠與現有的工藝兼容,其工藝簡單,有利于大規模推廣。
附圖說明
構成本發明的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解,本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明,并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
圖1示出了根據本發明MWT太陽能電池片的制造方法的流程圖。
具體實施方式
下文中將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發明。需要說明的是,在不沖突的情況下,本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
術語解釋:
MWT:金屬發射極穿孔卷繞技術。
發射極:即PN結,通過高溫擴散在硅片基底上形成PN結。
SiNx:氮化硅,一般通過PECVD(等離子增強氣相化學沉積法)在硅片表面形成氮化硅層。
背場:擴散背場,即在硅片基底背面(非形成PN結的一面)通過擴散,形成一個P+的高摻雜區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





