[發明專利]MWT太陽能電池片的制造方法無效
| 申請號： | 201310214858.3 | 申請日： | 2013-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN103268908A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發明（設計）人： | 陳迎樂;趙文超;王建明;王子謙;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請（專利權）人： | 英利集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mwt 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：利用激光技術在制造MWT太陽能電池片的基底上形成過料孔，在所述基底背面且位于所述過料孔的周圍的區域進行消融；
S2：在所述過料孔的內壁表面以及消融區域印刷腐蝕漿料，去除激光打孔和消融過程對所述基底帶來的損傷。
2.根據權利要求1所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，采用絲網印刷的方式將所述腐蝕漿料印刷在所述過料孔的內壁表面以及所述消融區域。
3.根據權利要求1所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，印刷所述腐蝕漿料時，其印刷區域為以所述過料孔的中心為圓心，半徑為0.5mm至5mm的圓所確定的區域。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，在所述S2的步驟之后還包括：對所述基底進行烘干，烘干時的溫度為200℃至300℃，時間為2min至10min。
5.根據權利要求4所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，對所述基底進行烘干之后還包括：利用氫氟酸溶液和去離子水對所述基底進行清洗，清洗時間大于1min。
6.根據權利要求4所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，所述腐蝕漿料對所述過料孔的內壁表面以及所述消融區域的腐蝕深度為1nm至50nm。
7.根據權利要求1所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，所述過料孔的直徑為50μm至500μm。
8.根據權利要求1所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，在所述S1的步驟之前還包括預處理步驟，所述預處理步驟包括：
對所述基底進行清洗、制絨；
利用高溫擴散的方法在所述基底的正面形成發射極、在所述基底的背面形成背場；
對所述基底進行邊緣刻蝕；
在所述基底的上下表面都形成SiNx層。
9.根據權利要求5所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，利用所述氫氟酸溶液和所述去離子水對所述基底進行清洗的步驟之后還包括：采用絲網印刷，對所述基底進行過孔漿料、背面柵線、正面柵線的印刷，最后對所述基底進行燒結。
10.根據權利要求2所述的MWT太陽能電池片的制造方法，其特征在于，印刷所述腐蝕漿料時，所述絲網上設置有一層防水膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
