[發(fā)明專利]堆疊式多封裝模塊及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310214754.2 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN104218030B | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張鶴議 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/04 | 分類號: | H01L25/04;H01L21/58;H01L21/50 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 張然,李昕巍 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 堆疊 封裝 模塊 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明有關于一種堆疊式多封裝模塊,且特別是有關于具有第一絕緣層的堆疊式多封裝模塊。
背景技術
目前常見的電子封裝模塊通常包括封裝式堆疊結(jié)構(gòu)(Package Stacking),而為了提高整體電子封裝模塊的堆疊密度以及減少封裝的體積,通常電子封裝模塊是采用三維垂直堆疊(Vertically Integrated Circuits,VIC)的結(jié)合方式進行整合。
在遇到不同高度的電子元件電性連接于基板上時,為提高整體電子封裝模塊的堆疊密度,現(xiàn)有的三維垂直堆疊方法通常以模具先形成模封包覆電子元件,而后將高度較低的電子元件上方的模封材料以雷射挖出凹洞以作為電子元件的預先裝設位置,接著于模封凹洞內(nèi)制作出導電柱以及線路,而后在模封凹洞內(nèi)擺放電子元件并且以填入另一封膠以填補模封凹洞。
一般來說,隨著電子封裝模塊的微型化,電子元件的擺設方式以及制作流程也越趨復雜,制作難度也隨之提升。此外,此種方法容易有外觀顏色不同及平整性不佳等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種堆疊式多封裝模塊,其所具有的絕緣層用以簡化封裝的流程,以及增加堆疊式多封裝模塊的內(nèi)部堆疊空間利用率。
本發(fā)明的堆疊式多封裝模塊,包括基板、堆疊結(jié)構(gòu)以及至少一第二電子元件;堆疊結(jié)構(gòu)包括多個第一電子元件、至少一第一絕緣層以及至少一導電圖案層,其中部分一些第一電子元件裝設于基板上,而第一絕緣層覆蓋于部分一些第一電子元件以及局部覆蓋基板表面,導電圖案層配置于第一絕緣層上,而另外一些第一電子元件裝設于第一絕緣層上且與導電圖案層電性連接;第二電子元件裝設于基板上,而第二電子元件的高度大于該第一電子元件的高度。
本發(fā)明提供一種堆疊式多封裝模塊的制造方法,用以簡化封裝的流程以及增加堆疊式多封裝模塊的內(nèi)部堆疊空間利用率。
本發(fā)明的堆疊式多封裝模塊的制造方法,包括裝設至少一第一電子元件以及至少一第二電子元件于基板上,且第一、第二電子元件與基板電性連接,而第二電子元件高度大于該第一電子元件的高度;將導電層配置于第一絕緣層之上之后,將第一絕緣層覆蓋于第一電子元件以及局部覆蓋于基板表面上。形成至少一穿透導電層以及第一絕緣層的導電柱,并且將導電層進行圖案化處理,據(jù)以形成一導電圖案層;將另至少一第一電子元件裝設于第一絕緣層上且與導電圖案層電性連接。
綜上所述,本發(fā)明的堆疊式多封裝模塊,其第二電子元件高度大于第一電子元件的高度,使得第一電子元件及第二電子元件之間會存有一高度差。其中一些第一電子元件及第二電子元件裝設于基板上,而第一絕緣層貼附覆蓋在其中一部分的第一電子元件以及部分的基板上。工藝較為簡單,從而簡化封裝的流程。當?shù)谝唤^緣層覆蓋這些第一電子元件以及部分基板上時,這些第一電子元件上方將存有空間以容置其他第一電子元件。據(jù)此,不僅可以簡化封裝的流程且縮短信號線路徑,從而使得線路損耗及干擾減少,產(chǎn)品電性更佳。此外,堆疊式多封裝模塊的封裝平整性高且外觀顏色均一,而堆疊式多封裝模塊的內(nèi)部堆疊空間利用率得以增加。
除此之外,本發(fā)明的堆疊式多封裝模塊的制造方法,其第二電子元件高度大于第一電子元件的高度,使得第一電子元件及第二電子元件之間會存有一高度差。通過貼附第一絕緣層覆蓋在其中一部分的第一電子元件以及部分的基板上,再于這些第一電子元件上方的空間內(nèi)容置其他第一電子元件。據(jù)此,不僅可以簡化封裝的流程且縮短信號線路徑,從而使得線路損耗及干擾減少,產(chǎn)品電性更佳。此外,堆疊式多封裝模塊的封裝平整性高且外觀顏色均一,而堆疊式多封裝模塊的內(nèi)部堆疊空間利用率得以增加。
為了能更進一步了解本發(fā)明為達成既定目的所采取的技術、方法及功效,請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明、圖式,相信本發(fā)明的目的、特征與特點,當可由此得以深入且具體的了解,然而所附圖式與附件僅提供參考與說明用,并非用來對本發(fā)明加以限制者。
附圖說明
圖1是本發(fā)明第一實施例的堆疊式多封裝模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明第二實施例的堆疊式多封裝模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明實施例的堆疊式多封裝模塊的制造方法的流程示意圖。
圖4A~4F分別是本發(fā)明第一實施例的堆疊式封裝模塊的制造方法于各步驟所形成的半成品的示意圖。
其中,附圖標記說明如下:
100、200 堆疊式多封裝模塊
110 基板
112 接地墊
120、220 堆疊結(jié)構(gòu)
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





