[發明專利]半導體封裝件及其制法有效
| 申請號: | 201310213682.X | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN104183555B | 公開(公告)日: | 2018-09-07 |
| 發明(設計)人: | 邱志賢;蔡宗賢;楊超雅;陳嘉揚;鄭志銘;朱育德 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;H01L21/58 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 及其 制法 | ||
一種半導體封裝件及其制法,該半導體封裝件,包括:線路板、設于該線路板上的承載件、設于該承載件上的射頻芯片、電性連接該電極墊與該線路板的多個高位焊線、以及包覆該承載件、高位焊線與射頻芯片的絕緣層。通過架高該射頻芯片,以利于在該線路板上置放組件及高頻布線,而達到高度整合無線系統級封裝模塊的目的。
技術領域
本發明涉及一種半導體封裝件的制法,尤指一種能提升產品可靠度的半導體封裝件的制法。
背景技術
由于電子產業的蓬勃發展,大部分的電子產品均不斷朝小型化、輕量化和高速化的目標邁進,其中更有不少電子產品必須使用射頻芯片,例如將射頻芯片與數字IC、射頻芯片與數字訊號處理器(Digital Signal Processor,DSP)、或射頻芯片與基頻芯片(BaseBand,BB)等整合在一起,藉以達到小型化或高速化的目標。
現有多芯片封裝構造已有許多型態,為達到較小表面接合面積,一般以堆棧方式將多個芯片相互堆棧于一基板上,當采用打線接合的方式電性連接該些芯片與該基板時,將該些芯片的主動面朝上堆棧,以利多個焊線的連接,例如,將一虛芯片(dummy die)設于兩相鄰芯片之間,或者,以一膠狀粘著劑(paste adhesive)或膠膜間隔兩相鄰的芯片,以提供該些焊線足夠的線弧高度。
圖1為現有半導體封裝件1的剖面示意圖。如圖1所示,該半導體封裝件1包含一線路板10、設于該線路板10上的一射頻芯片12、設于該射頻芯片12上的一虛芯片11、設于該虛芯片11上的一半導體芯片14、電性連接該半導體芯片14與該線路板10的多個第一焊線140、電性連接該射頻芯片12與該線路板10的多個第二焊線13及包覆該虛芯片11、半導體芯片14、第一焊線140、射頻芯片12及第二焊線13的封裝膠體16,其中,該虛芯片11可提供一間距,以使該第二焊線13具有足夠的線弧高度。
然而,該射頻芯片12的射頻電路為敏感區域(尤其當該射頻芯片12為高頻率芯片或無線射頻芯片時),所以會有干擾(interference)、熱量(thermal)等因素影響效能,因而限制布線的靈活度與組件的擺放空間,致使無法實現高整合的無線(wireless)系統級(System in Package,SiP)封裝模塊。
此外,該射頻芯片12與該半導體芯片14的堆棧會使兩者間訊號互相干擾而產生噪聲,尤其當該射頻芯片12為高頻率芯片或無線射頻芯片時,對于該半導體芯片14的干擾程度更為嚴重。
因此,如何克服上述現有技術的問題,實已成目前亟欲解決的課題。
發明內容
鑒于上述現有技術的種種缺失,本發明的主要目的為提供一種半導體封裝件及其制法,以達到高度整合無線系統級封裝模塊的目的。
本發明的半導體封裝件,包括:一線路板;承載件,其設于該線路板上;射頻芯片,其設于該承載件上,該射頻芯片具有相對的主動面與非主動面,該主動面上具有多個電極墊,且該非主動面結合至該承載件上;多個高位焊線,其電性連接該電極墊與該線路板;以及絕緣層,其設于該線路板上,以包覆該承載件、高位焊線與射頻芯片。
本發明還提供一種半導體封裝件的制法,包括:提供一線路板,該線路板上具有承載件;設置射頻芯片于該承載件上,該射頻芯片具有相對的主動面與非主動面,該主動面上具有多個電極墊,且該非主動面結合至該承載件上;形成多個高位焊線于該電極墊上,以令該些高位焊線電性連接該電極墊與該線路板;以及形成絕緣層于該線路板上,以包覆該承載件、高位焊線與射頻芯片。
前述的半導體封裝件及其制法中,該承載件為功能性芯片、虛芯片、散熱片或絕緣體。
前述的半導體封裝件及其制法中,該射頻芯片的寬度大于該承載件的寬度,以于該射頻芯片與該線路板之間形成容置空間。此外還包括至少一半導體組件,其設于該線路板上,例如,位于該容置空間中或位于該承載件的周圍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于矽品精密工業股份有限公司,未經矽品精密工業股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310213682.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:混合半導體封裝
- 下一篇:一種NOR型閃存存儲單元的制造方法





