[發(fā)明專(zhuān)利]一種低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310210299.9
• 申請(qǐng)日: 2013-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104213078A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;馮小明;陳吉星;王平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/24
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/24
• 代理公司: 廣州三環(huán)專(zhuān)利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光面板的制作設(shè)備，尤其涉及一種低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備。

背景技術(shù)

到目前為止，在待制備器件領(lǐng)域，盡管全世界各國(guó)的科研人員通過(guò)選擇合適的有機(jī)材料和合理的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，已使器件性能的各項(xiàng)指標(biāo)得到了很大的提升，例如采用PN摻雜傳輸層的工藝，可以降低器件的啟動(dòng)電壓以提高光效，并且有利于壽命的提高。對(duì)于P摻雜而言，目前OLED研究領(lǐng)域用的最多的是如F4-TCNQ，F(xiàn)4-TNAP一類(lèi)的摻雜劑，摻雜在空穴傳輸材料如MeO-TPD,NPB中。對(duì)于這一類(lèi)有機(jī)摻雜劑，經(jīng)過(guò)摻雜后，有機(jī)物的導(dǎo)電率可以從10^-9S/cm提高到10^-4S/cm，經(jīng)過(guò)理論計(jì)算，要實(shí)現(xiàn)傳輸材料電導(dǎo)率達(dá)到10^-6-10^-4S/cm量級(jí)之間，摻雜劑在有機(jī)物中的摩爾比僅需要在1‰的量就夠了，但是對(duì)于其制備工藝而言，由于制備的傳輸層通常在幾十納米，如此低的摻雜量，很難進(jìn)行控制。因?yàn)槟壳暗哪ず癖O(jiān)控設(shè)備一般采用石英晶振，通過(guò)質(zhì)量的變化來(lái)評(píng)定薄膜厚度，在共蒸鍍時(shí)，兩種材料的蒸鍍速度之比，即使摻雜的質(zhì)量之比。目前通常采用F4-TCNQ摻雜在MeO-TPD中時(shí)，通常采用的摩爾比為2%-5%，其質(zhì)量分?jǐn)?shù)一般在1-4%之間，意味著單位之間內(nèi)，F(xiàn)4-TCNQ的蒸鍍速度是MeO-TPD的1-4%之間，其需要非常精確的蒸發(fā)設(shè)備，以保證兩種材料的蒸發(fā)速度在一定的比值從而獲得較穩(wěn)定的摻雜比例。

對(duì)于發(fā)光層材料而言，同樣也存在這樣的問(wèn)題，例如采用超低濃度摻雜，將發(fā)光材料摻雜在主體材料中，例如Rubrene摻雜在NPB中，其摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)可以低至0.01%，DCTJB摻雜在Alq3中，其摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)可以低至在0.02%。對(duì)于如此低的摻雜含量，需要采用非常精密的監(jiān)控設(shè)備，而且對(duì)蒸發(fā)源有著精確的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，能夠有效降低摻雜材料的比例，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，包括真空鍍室，以及均設(shè)置在所述真空鍍室內(nèi)的主蒸發(fā)源和摻雜蒸發(fā)源，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括掩膜裝置，所述掩膜裝置包括至少一個(gè)掩膜板及蒸發(fā)腔體，所述蒸發(fā)腔體的上端開(kāi)口并通向待制備器件；所述掩膜板水平安裝在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)，所述掩膜板上開(kāi)設(shè)多個(gè)通孔，多個(gè)所述通孔均勻分布于所述掩膜板；所述摻雜蒸發(fā)源設(shè)置在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)且位于所述掩膜板的下方。

其中，所述掩膜板的開(kāi)孔率為9%-50%。

其中，所述掩膜板為兩個(gè)或兩個(gè)以上，各掩膜板沿豎直方向?qū)盈B排布于所述托架，且各所述掩膜板之間間隔設(shè)置。

其中，相鄰兩個(gè)所述掩膜板之間的間隔為5-10cm。

其中，所述掩膜板的周緣與所述蒸發(fā)腔體的內(nèi)壁無(wú)縫貼合連接。

其中，所述掩膜板通過(guò)可拆卸式連接結(jié)構(gòu)連接在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)。

其中，所述通孔為圓形、多邊形、及不規(guī)則形狀中的一種。

其中，所述掩膜板與所述所述摻雜蒸發(fā)源之間設(shè)有5-20cm的間隙。

其中，其特征在于，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括用于監(jiān)控所述摻雜蒸發(fā)源處的蒸發(fā)速度的晶振探頭，且設(shè)置在所述掩膜板的下方。

其中，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括用于監(jiān)控到達(dá)所述待鍍膜器件處的蒸發(fā)速度的晶振探頭，且設(shè)置在所述掩膜板的上方。

本發(fā)明實(shí)施例提供的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，摻雜蒸發(fā)源蒸發(fā)的摻雜材料需通過(guò)掩膜裝置才能到達(dá)待制備器件，由于掩膜板上設(shè)置有均勻分布的開(kāi)孔，使在單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)掩膜板的摻雜材料速度發(fā)生變化，在不改變摻雜蒸發(fā)源蒸發(fā)熱量的情況下，能夠使摻雜材料的蒸發(fā)實(shí)現(xiàn)一個(gè)非常低的蒸發(fā)速度，能夠有效降低摻雜材料的比例；同時(shí)掩膜裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的用于待制備器件的蒸發(fā)設(shè)備的示意圖；

圖2是圖1的蒸發(fā)設(shè)備中蒸發(fā)掩膜裝置與待制備器件配合的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是圖2中蒸發(fā)掩膜裝置的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明第二實(shí)施方式提供的蒸發(fā)掩膜裝置與待制備器件配合的結(jié)構(gòu)示意圖；