[發(fā)明專利]一種低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310210299.9
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN104213078A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;馮小明;陳吉星;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，包括真空鍍室，以及均設(shè)置在所述真空鍍室內(nèi)的主蒸發(fā)源和摻雜蒸發(fā)源，其特征在于，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括掩膜裝置，所述掩膜裝置包括至少一個掩膜板及蒸發(fā)腔體，所述蒸發(fā)腔體的上端開口并通向待制備器件；所述掩膜板水平安裝在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)，所述掩膜板上開設(shè)多個通孔，多個所述通孔均勻分布于所述掩膜板；所述摻雜蒸發(fā)源設(shè)置在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)且位于所述掩膜板的下方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜板的開孔率為9%-50%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜板為兩個或兩個以上，各掩膜板沿豎直方向?qū)盈B排布于所述托架，且各所述掩膜板之間間隔設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，相鄰兩個所述掩膜板之間的間隔為5-10cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜板的周緣與所述蒸發(fā)腔體的內(nèi)壁無縫貼合連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜板通過可拆卸式連接結(jié)構(gòu)連接在所述蒸發(fā)腔體內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述通孔為圓形、多邊形、及不規(guī)則形狀中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述掩膜板與所述摻雜蒸發(fā)源之間設(shè)有5-20cm的間隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，其特征在于，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括用于監(jiān)控所述摻雜蒸發(fā)源處的蒸發(fā)速度的晶振探頭，且設(shè)置在所述掩膜板的下方。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低濃度摻雜的蒸發(fā)設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)設(shè)備還包括用于監(jiān)控到達所述待鍍膜器件處的蒸發(fā)速度的晶振探頭，且設(shè)置在所述掩膜板的上方。