[發(fā)明專利]多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法及分離設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310210006.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-31 | 
| 公開(公告)號(hào): | CN103266350A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 譚毅;石爽;任世強(qiáng);姜大川 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大連理工大學(xué) | 
| 主分類號(hào): | C30B28/06 | 分類號(hào): | C30B28/06;C30B29/06 | 
| 代理公司: | 大連星海專利事務(wù)所 21208 | 代理人: | 徐淑東 | 
| 地址: | 116024 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶 鑄錠 真空 分離 方法 設(shè)備 | ||
1.一種多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法,其特征在于,包括以下步驟:將硅料在容器內(nèi)熔化成熔融硅料;拉錠至熔融硅料中硅料長晶率達(dá)到80~90%時(shí),抽真空使熔融硅料表面形成凝固殼體;通過壓桿擠壓殼體,所述殼體內(nèi)部硅液在壓力作用下沿著殼體和容器接觸縫隙處或者殼體上較薄弱的地方被擠壓出,待硅液全部被擠出停止壓桿擠壓殼體,被擠出硅液在殼體之上凝固,實(shí)現(xiàn)上部富集雜質(zhì)鑄錠和下部較高純度鑄錠的分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法,其特征在于,所述將硅料在容器內(nèi)熔化成熔融硅料需在惰性氣體保護(hù)條件下進(jìn)行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法,其特征在于,所述拉錠的速度為0.1~2mm/s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法,其特征在于,所述抽真空使操作體系內(nèi)的氣壓為0.1~3Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法,其特征在于,所述壓桿擠壓殼體的速度為1~26m/min。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法,其特征在于,所述惰性氣體為氬氣和/或氦氣。
7.一種能實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法的分離設(shè)備,其特征在于,該設(shè)備包括容器、壓桿、抽真空設(shè)備、配合設(shè)置的爐蓋和爐體,所述爐蓋和爐體配合后能形成密封的容置空間,所述容置空間與抽真空設(shè)備連通,所述爐體下端設(shè)置有拉錠設(shè)備,所述容器固定在拉錠設(shè)備上,所述壓桿活動(dòng)設(shè)置在容器上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述分離設(shè)備,其特征在于,所述拉錠設(shè)備包括依次設(shè)置的固定支架、散熱板、支撐基座、水冷盤和水冷旋轉(zhuǎn)桿,所述容器固定在固定支架上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述分離設(shè)備,其特征在于,所述容器為石英容器。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述分離設(shè)備,其特征在于,所述壓桿為石英桿、陶瓷桿或剛玉桿。
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