[發(fā)明專利]一種銅電極太陽能電池片及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310209332.6
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN103325856A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉志龍;劉宗義;李麗
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市圣龍?zhí)仉娮佑邢薰?/a>
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 劉海軍;楊建新

技術(shù)領(lǐng)域

????本發(fā)明公開一種太陽能電池片，特別是一種銅電極太陽能電池片及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著地球資源的日益減少，綠色能源、環(huán)保能源、可再生能源的研究和利用在人們生活中越來越受到重視。太陽能作為清潔能源，被受到廣泛研究，現(xiàn)有技術(shù)中的對太陽能的利用主要為通過太陽能電池片將太陽能轉(zhuǎn)換成電能，目前，太陽能電池用的導(dǎo)體漿料占太陽能電池片整體結(jié)構(gòu)成本在百分之二十五左右，太陽能電池片中的電極通常是采用導(dǎo)電性能良好的銀制成，但是其成本過高。為了在保證轉(zhuǎn)化率的同時(shí)進(jìn)一步降低太陽能電池片總體成本，常規(guī)的做法是運(yùn)用導(dǎo)電性良好的賤金屬替代昂貴的銀作為太陽能漿料的導(dǎo)電相成為了一個(gè)首選的途徑，目前，此項(xiàng)研究已經(jīng)成為業(yè)界亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述提到的現(xiàn)有技術(shù)中的太陽能電池片采用銀作為導(dǎo)體電極，成本過高的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種銅電極太陽能電池片及其制造方法，其沉積了保護(hù)膜解決了銅對擴(kuò)散層的侵蝕問題，通入保護(hù)性氣氛嚴(yán)格控制氧含量解決了銅在燒結(jié)過程中的氧化問題，采用銅正電極和銅背電極取代銀電極，降低了生產(chǎn)成本，提高了光電轉(zhuǎn)化率。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是：一種銅電極太陽能電池片，太陽能電池片包括有完成制結(jié)處理的硅片、氮化硅減反射膜、保護(hù)膜、鋁背面電場電極、銅背電極和銅正電極，氮化硅減反射膜覆蓋在硅片正面，保護(hù)膜覆蓋在氮化硅減反射膜上，硅片背面印有鋁背面電場電極及銅背電極，在硅片正面保護(hù)膜上面印有銅正電極。

一種如上述的銅電極太陽能電池片的制作方法，該方法包括下述步驟：

A、????????在硅片的正面覆蓋一層氮化硅減反射膜；

B、?????????在氮化硅減反射膜的上面覆蓋一層導(dǎo)電透明的保護(hù)膜；

C、????????硅片背面印制鋁背面電場電極；

D、????????硅片背面印制銅背電極；

E、?????????在硅片正面保護(hù)膜上面印制銅正電極；

F、?????????經(jīng)印刷電極后的硅片經(jīng)一次性高溫快速燒結(jié)形成銅電極太陽能電池片。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案進(jìn)一步還包括：

所述的氮化硅減反射膜的厚度為5-100納米。

所述的保護(hù)膜的厚度為5-100納米。

所述的硅片為單晶硅、多晶硅和非晶硅中的任意一種。

所述的高溫快速燒結(jié)時(shí)，使用銅漿料燒結(jié)專用網(wǎng)帶氣氛爐一次燒結(jié)完成，保護(hù)氣氛為氮?dú)猓瑹Y(jié)爐至少有5個(gè)溫區(qū)，分別為預(yù)熱區(qū)、排膠區(qū)、高溫區(qū)、峰值區(qū)、降溫區(qū)，每個(gè)溫區(qū)參數(shù)范圍見下表：