[發明專利]一種銅電極太陽能電池片及其制造方法有效
| 申請號: | 201310209332.6 | 申請日: | 2013-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN103325856A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 葉志龍;劉宗義;李麗 | 申請(專利權)人: | 深圳市圣龍特電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市千納專利代理有限公司 44218 | 代理人: | 劉海軍;楊建新 |
| 地址: | 523000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電極 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種銅電極太陽能電池片,其特征是:所述的太陽能電池片包括有完成制結處理的硅片、氮化硅減反射膜、保護膜、鋁背面電場電極、銅背電極和銅正電極,氮化硅減反射膜覆蓋在硅片正面,保護膜覆蓋在氮化硅減反射膜上,硅片背面印有鋁背面電場電極及銅背電極,在硅片正面保護膜上面印有銅正電極。
2.根據權利要求1所述的銅電極太陽能電池片,其特征是:所述的氮化硅減反射膜的厚度為5-100納米。
3.根據權利要求1所述的銅電極太陽能電池片,其特征是:所述的保護膜的厚度為5-100納米。
4.根據權利要求1所述的銅電極太陽能電池片,其特征是:所述的硅片為單晶硅、多晶硅和非晶硅中的任意一種。
5.一種如權利要求1至4中任意一項所述的銅電極太陽能電池片的制作方法,其特征是:所述的方法包括下述步驟:
A、在硅片的正面覆蓋一層氮化硅減反射膜;
B、在氮化硅減反射膜的上面覆蓋一層導電透明的保護膜;
C、硅片背面印制鋁背面電場電極;
D、硅片背面印制銅背電極;
E、在硅片正面保護膜上面印制銅正電極;
F、經印刷電極后的硅片經一次性高溫快速燒結形成銅電極太陽能電池片。
6.根據權利要求5所述的制作方法,其特征是:所述的步驟C、D和E中印制時,采用絲網印刷將銅漿或鋁漿按照設定圖形印制在硅片、保護層或鋁背面電場電極上,然后經過烘干溫度均為90℃-150℃,烘干時間為5-10分鐘的烘干。
7.根據權利要求5所述的制作方法,其特征是:所述的高溫快速燒結時,使用銅漿料燒結專用網帶氣氛爐一次燒結完成,保護氣氛為氮氣,燒結爐至少有5個溫區,分別為預熱區、排膠區、高溫區、峰值區、降溫區,每個溫區參數范圍見下表:
。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





