[發明專利]一種P型背鈍化太陽能電池及其制作方法無效
| 申請號: | 201310208310.8 | 申請日: | 2013-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN103325885A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 楊學良;楊德成;徐卓;趙文超;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請(專利權)人: | 英利集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈍化 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能能電池技術領域,更具體地說,涉及一種P型背鈍化太陽能電池及其制作方法。
背景技術
太陽能電池利用半導體的光生伏特效應將太陽能轉換為電能,是當今人們利用太陽能發電的一種主要方式。太陽電池一般采用晶體硅制備而成,其成本較高。傳統的太陽能電池制備工藝不能滿足人們對低成本高效率電池的需求。
P型背鈍化太陽能電池是在減薄硅片厚度的基礎上發展起來,降低成本較高的晶體硅的使用,從而降低了成本。因為當硅片的厚度減薄到小于載流子擴散長度時,太陽能電池中載流子在表面的復合會對電池的性能有很大損失,所以通過在P型電池的背面鍍上一層或多層介質層作為鈍化層來減少背面的表面載流子復合速率,提高電池的轉換效率。
在制作P型背鈍化太陽能電池時,現有技術通常采用激光刻蝕技術,運用皮秒激光器或者納秒激光器對電池背面鈍化層刻蝕,實現印刷背面鋁漿時,使鋁與硅形成良好接觸。發明人發現,由于激光在消融背面鈍化層的同時多余的熱量會向硅基底中傳遞,造成硅基底背表面激光劃過部分的晶格發生畸變,從而產生空位或缺陷等載流子復合中心,對背表面少數載流子的壽命造成嚴重損失,降低了P型背鈍化太陽能電池的轉換效率。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供一種P型背鈍化太陽能電池及其制作方法,以提高P型背鈍化太陽能電池的轉換效率。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種P型背鈍化太陽能電池的制作方法,該方法包括:
在電池本體上形成正面減反層和背面鈍化層,其中,采用掩膜工藝形成具有預設鏤空圖案的背面鈍化層,所述正面減反層位于所述電池本體的上表面,所述背面鈍化層位于所述電池本體的下表面;
形成正面電極和背面電極;
對正面電極和背面電極進燒結。
優選的,在上述方法中,所述在電池本體上形成正面減反層和背面鈍化層包括:
采用掩膜工藝,在所述電池本體的下表面形成具有預設鏤空圖案的第一鈍化層;
在所述電池本體的上表面形成正面減反層;
采用掩膜工藝,在所述第一鈍化層表面形成與所述第一鈍化層圖案相同的第二鈍化層;
其中,所述第一鈍化層與第二鈍化層構成所述背面鈍化層。
優選的,在上述方法中,所述第一鈍化層為三氧化二鋁層。
優選的,在上述方法中,所述正面減反層以及第二鈍化層為氮化硅層。
優選的,在上述方法中,所述背面鈍化層的鏤空部分為多條平行、等間隔分布的溝槽。
優選的,在上述方法中,所述背面鈍化層的鏤空部分包括:多個平行分布的第一溝槽以及多個平行分布的第二溝槽;
其中,所述第一溝槽與第二溝槽垂直,所述第一溝槽之間等間距分布,所述第二溝槽之間等間距分布。
優選的,在上述方法中,所述背面鈍化層的鏤空部分為多個均勻分布的圓形凹槽。
優選的,在上述方法中,所述背面鈍化層的鏤空部分為多個均勻分布的矩形凹槽。
優選的,在上述方法中,所述背面鈍化層鏤空部分所占面積百分比范圍為2%-9%,包括端點值。
本發明還提供了一種P型背鈍化太陽能電池,該P型背鈍化太陽能電池包括:
電池本體;
位于所述電池本體上表面的正面電極結構,位于所述電池本體下表面的背面電極結構;
其中,所述正面電極結構包括:正面減反層以及正面柵線;所述背面電極結構包括:背面鈍化層以及背面電極層;所述背面鈍化層采用掩膜工藝制備的具有預設鏤空圖案的鈍化層;所述背面電極層通過所述背面鈍化層的鏤空部分與所述電池本體的背面接觸。
從上述技術方案可以看出,本發明所提供的P型背鈍化太陽能電池的制作方法包括:在電池本體上形成正面減反層和背面鈍化層,其中,采用掩膜工藝形成具有預設鏤空圖案的背面鈍化層,所述正面減反層位于所述電池本體的上表面,所述背面鈍化層位于所述電池本體的下表面;形成正面電極和背面電極;對正面電極和背面電極進燒結。本申請通過掩膜工藝在電池本體背面形成具有預設鏤空圖案的鈍化層,相對于現有技術,避免了形成鈍化層后,對所述鈍化層進行刻蝕時對電池本體背面造成損傷的情況,進而避免了在電池本體背面鈍化層未覆蓋區域的形成載流子復合中心的情況,保證了少數載流子的壽命,從而提高了P型背鈍化太陽能電池的轉換效率。
附圖說明
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





