[發(fā)明專利]半導(dǎo)體處理設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310207781.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103295938B | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 巴文林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 處理 設(shè)備 | ||
1.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,包括:
待降溫組件;
冷卻液管道,利用所述冷卻液管道中的冷卻液將待降溫組件降溫;
冷卻液供應(yīng)單元,所述冷卻液供應(yīng)單元通過導(dǎo)管和導(dǎo)管接口與冷卻液管道相連接,利用所述冷卻液供應(yīng)單元將冷卻液循環(huán)通入到冷卻液管道;
漏液感應(yīng)單元,所述漏液感應(yīng)單元與導(dǎo)管、導(dǎo)管接口相接觸,用于檢測(cè)導(dǎo)管、導(dǎo)管接口處是否發(fā)生漏液;
漏液檢測(cè)單元,所述漏液檢測(cè)單元與所述漏液感應(yīng)單元、冷卻液供應(yīng)單元分別連接,當(dāng)漏液感應(yīng)單元檢測(cè)到出現(xiàn)漏液現(xiàn)象,通過漏液檢測(cè)單元使得冷卻液供應(yīng)單元停止供液;
所述漏液感應(yīng)單元為漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線,所述漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線的一端與漏液檢測(cè)單元相連接,通過檢測(cè)所述漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線的電阻變化來判斷是否發(fā)生漏液;
所述漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線包括至少兩條導(dǎo)線和位于兩條導(dǎo)線之間的具有吸水性的絕緣材料,所述漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線的一端與漏液檢測(cè)單元相連接,使得漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線內(nèi)的導(dǎo)線的一端與漏液檢測(cè)單元相連接,所述漏液檢測(cè)單元在所述導(dǎo)線的一端施加檢測(cè)電壓,當(dāng)導(dǎo)管或?qū)Ч芙涌诎l(fā)生漏液,對(duì)應(yīng)位置的漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線的絕緣材料因?yàn)槲哂袑?dǎo)電性,從而使得兩條導(dǎo)線之間的電阻降低;
所述漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線纏繞在所述導(dǎo)管、導(dǎo)管接口的外表面;
或者,所述漏液感測(cè)帶或漏液感測(cè)線利用固定組件固定在所述導(dǎo)管、導(dǎo)管接口的外表面。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,所述具有吸水性的絕緣材料為聚乙烯、尼龍或聚偏氟乙烯。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,所述導(dǎo)線的材料為金屬或?qū)щ娋酆衔铩?/p>
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,還包括:報(bào)警單元,當(dāng)漏液檢測(cè)單元檢測(cè)到出現(xiàn)漏液現(xiàn)象,所述報(bào)警單元發(fā)出警報(bào)。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,還包括:控制單元,所述控制單元與漏液檢測(cè)單元相連接,當(dāng)漏液檢測(cè)單元檢測(cè)到出現(xiàn)漏液現(xiàn)象,漏液檢測(cè)單元將控制信號(hào)發(fā)送給控制單元,控制單元停止半導(dǎo)體處理設(shè)備的運(yùn)行。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,所述半導(dǎo)體處理設(shè)備為半導(dǎo)體沉積設(shè)備、半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備或等離子體注入設(shè)備。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,所述冷卻液管道位于所述待降溫組件內(nèi)或與所述待降溫組件相接觸。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,所述待降溫組件為反應(yīng)腔側(cè)壁、反應(yīng)腔頂蓋、承片臺(tái)、輻射器或磁控管。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理設(shè)備,其特征在于,所述冷卻液為制程冷卻水。
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- 同類專利
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
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- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





