[發明專利]半導體處理設備

有效

• 申請號: 201310207781.7
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN103295938B
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發明（設計）人: 巴文林
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及半導體設備，特別涉及一種具有漏液檢測功能的半導體處理設備。

背景技術

在半導體制造工藝中，例如在沉積或刻蝕工藝中通常需要對半導體材料進行高溫處理，會使得半導體處理設備的溫度升高。且在半導體處理設備中，通常會利用反應氣體的等離子體進行沉積或刻蝕工藝，而反應氣體的等離子體通常采用電子回旋加速振蕩、電感耦合、電容耦合等方式形成，形成所述等離子體的工藝也會使得半導體處理設備的溫度升高。因此現有的半導體處理設備常通過制程冷卻水（Process Cool Water，PCW）來對工藝設備進行冷卻。

請參考圖1，為現有的半導體處理裝置的結構示意圖，包括：反應腔10，位于所述反應腔10內的承片臺11，所述承片臺11用于承載待處理的半導體基片；位于所述反應腔10頂部的反應腔頂蓋16，所述反應腔頂蓋16通過射頻匹配器（未圖示）與射頻功率源（未圖示）相連接，利用所述反應腔頂蓋16與承片臺11形成電容耦合等離子體反應器；位于所述反應腔頂蓋16內的氣體噴淋頭17，利用所述氣體噴淋頭17將反應氣體均勻地通入到反應腔10中；位于所述反應腔頂蓋16內的冷卻水管道15，所述冷卻水管道15遍布反應腔頂蓋16設置，所述冷卻水管道15通過進水口12和出水口13將制程冷卻水不斷循環。由于所述反應腔頂蓋16與射頻功率源相連接用于產生等離子體，所述反應腔頂蓋16的溫度會很高，因此，需要利用所述冷卻水管道15中的制程冷卻水對反應腔頂蓋16頂蓋進行冷卻。其中所述冷卻水管道15的進水口12和出水口13通過導管和導管接口與冷卻水供應裝置相連接。

然而，現有的半導體處理設備的冷卻水管道與冷卻水供應裝置相連接的導管和導管接口的安全性較差，容易發生安全事故。

關于具有制程水系統的更多信息請參考公開號為CN1542903A的中國專利文獻。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種半導體處理設備，可以實時地檢測半導體處理設備是否發生漏水，提高了設備的安全性。

為解決上述問題，本發明提供一種半導體處理設備，包括：待降溫組件；冷卻液管道，利用所述冷卻液管道中的冷卻液將待降溫組件降溫；冷卻液供應單元，所述冷卻液供應單元通過導管和導管接口與冷卻液管道相連接，利用所述冷卻液供應單元將冷卻液循環通入到冷卻液管道；漏液感應單元，所述漏液感應單元與導管、導管接口相接觸，用于檢測導管、導管接口處是否發生漏液；漏液檢測單元，所述漏液檢測單元與所述漏液感應單元、冷卻液供應單元分別連接，當漏液感應單元檢測到出現漏液現象，通過漏液檢測單元使得冷卻液供應單元停止供液。

可選的，所述漏液感應單元為漏液感測帶或漏液感測線，所述漏液感測帶或漏液感測線的一端與漏液檢測單元相連接，通過檢測所述漏液感測帶或漏液感測線的電阻變化來判斷是否發生漏液。

可選的，所述漏液感測帶或漏液感測線纏繞在所述導管、導管接口的外表面。

可選的，所述漏液感測帶或漏液感測線利用固定組件固定在所述導管、導管接口的外表面。

可選的，所述漏液感測帶或漏液感測線包括至少兩條導線和位于兩條導線之間的具有吸水性的絕緣材料，所述漏液感測帶或漏液感測線的一端與漏液檢測單元相連接，使得漏液感測帶或漏液感測線內的導線的一端與漏液檢測單元相連接，所述漏液檢測單元在所述導線的一端施加檢測電壓，當導管或導管接口發生漏液，對應位置的漏液感測帶或漏液感測線的絕緣材料因為吸水具有導電性，從而使得兩條導線之間的電阻降低。

可選的，所述具有吸水性的絕緣材料為聚乙烯、尼龍或聚偏氟乙烯。

可選的，所述導線的材料為金屬或導電聚合物。

可選的，還包括：報警單元，當漏液檢測單元檢測到出現漏液現象，所述報警單元發出警報。

可選的，還包括：控制單元，所述控制單元與漏液檢測單元相連接，當漏液檢測單元檢測到出現漏液現象，漏液檢測單元將控制信號發送給控制單元，控制單元停止半導體處理設備的運行。

可選的，所述半導體處理設備為半導體沉積設備、半導體刻蝕設備或等離子體注入設備。

可選的，所述冷卻液管道位于所述待降溫組件內或與所述待降溫組件相接觸。

可選的，所述待降溫組件為反應腔側壁、反應腔頂蓋、承片臺、輻射器或磁控管。

可選的，所述冷卻液為制程冷卻水。

與現有技術相比，本發明的技術方案具有以下優點：